ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IRS21281PBF
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - IRS21281PBF คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - IRS21281PBF
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 9V ~ 20V | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-PDIP | |
| ชุด | - | |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | 80ns, 40ns | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-DIP (0.300', 7.62mm) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| ความถี่ขาเข้า | 1 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| แรงดันลอจิก - VIL, VIH | 0.8V, 2.5V | |
| ประเภทขาเข้า | Inverting | |
| แรงดันด้านสูง - แม็กซ์ (เงินทุน) | 600 V | |
| ประเภทประตู | IGBT, N-Channel MOSFET | |
| การกำหนดค่าแบบขับเคลื่อน | High-Side | |
| ปัจจุบัน - Peak Output (แหล่งที่มา, Sink) | 290mA, 600mA | |
| Base-Emitter อิ่มตัวแรงดัน (สูงสุด) | Single | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IRS21281 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies IRS21281PBF
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IRS21281PBF | IRS2127STRPBF | IRS21271STRPBF | IRS2127SPBF |
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IRS21281 | IRS2127 | IRS21271 | IRS2127 |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 9V ~ 20V | 12V ~ 20V | 9V ~ 20V | 12V ~ 20V |
| การกำหนดค่าแบบขับเคลื่อน | High-Side | High-Side | High-Side | High-Side |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-DIP (0.300', 7.62mm) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-PDIP | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| แรงดันด้านสูง - แม็กซ์ (เงินทุน) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| ปัจจุบัน - Peak Output (แหล่งที่มา, Sink) | 290mA, 600mA | 290mA, 600mA | 290mA, 600mA | 290mA, 600mA |
| ความถี่ขาเข้า | 1 | 1 | 1 | 1 |
| ประเภทประตู | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET |
| ชุด | - | - | - | - |
| Base-Emitter อิ่มตัวแรงดัน (สูงสุด) | Single | Single | Single | Single |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | 80ns, 40ns | 80ns, 40ns | 80ns, 40ns | 80ns, 40ns |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube |
| ประเภทขาเข้า | Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting |
| แรงดันลอจิก - VIL, VIH | 0.8V, 2.5V | 0.8V, 2.5V | 0.8V, 2.5V | 0.8V, 2.5V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IRS21281PBF PDF และเอกสาร Infineon Technologies สำหรับ IRS21281PBF - Infineon Technologies
IRS2128STRPBF.IRIRS21281IRIRS2127STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOICIRS2127SIRIRS21271STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOICIRS21281SPBF.IRIRS2127TRPBFIRIRS21271STRPBF.IRIRS2127STRPBF.IRIRS21281PBF.IRIRS21271TRPBF.IRIRS2128SIRIRS2127SPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOICIRS21281SPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOICIRS2128SPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOICIRS2128IRIRS21281STRPBF.IRIRS21281STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที