ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี S26KS512SDPBHB020
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - S26KS512SDPBHB020 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - S26KS512SDPBHB020
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.7V ~ 1.95V | |
| เทคโนโลยี | FLASH - NOR | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 24-FBGA (6x8) | |
| ชุด | Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KS | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 24-VBGA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 105°C (TA) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 512Mbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 64M x 8 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | FLASH | |
| ความถี่นาฬิกา | 166 MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | S26KS512 | |
| เวลาในการเข้าถึง | 96 ns |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies S26KS512SDPBHB020
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | S26KS512SDPBHB020 | S26KL512SDABHB020 | S26KL256SDABHI020 | S26KL512SDABHB020 |
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Nexperia USA Inc. |
| ชุด | Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KS | Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KL | HyperFlash™ KL | - |
| เวลาในการเข้าถึง | 96 ns | 96 ns | 96 ns | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 24-FBGA (6x8) | 24-FBGA (6x8) | 24-FBGA (6x8) | - |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.7V ~ 1.95V | 2.7V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V | - |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | - | - | - |
| เทคโนโลยี | FLASH - NOR | FLASH - NOR | FLASH - NOR | - |
| ความถี่นาฬิกา | 166 MHz | 100 MHz | 100 MHz | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | S26KS512 | S26KL512 | S26KL256 | - |
| ขนาดหน่วยความจำ | 512Mbit | 512Mbit | 256Mbit | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 24-VBGA | 24-VBGA | 24-VBGA | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 105°C (TA) | -40°C ~ 105°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | - |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile | - |
| รูปแบบหน่วยความจำ | FLASH | FLASH | FLASH | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| องค์กรหน่วยความจำ | 64M x 8 | 64M x 8 | 32M x 8 | - |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | Parallel | Parallel | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | Tray | Tray | Bulk |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล S26KS512SDPBHB020 PDF และเอกสาร Infineon Technologies สำหรับ S26KS512SDPBHB020 - Infineon Technologies
S26AL016D70TFCZ2Spansion (Cypress Semiconductor)
S266-A1-RHAMBARELLAS26KL512SDABHI000SPANSIO
S2619-75.0000Pericom Semiconductor Corp. (Diodes Incorporated)S260-DOSiemensS26KL512SDABHB020Infineon TechnologiesIC FLASH 512MBIT PAR 24FBGA
S26MD02Sharp MicroelectronicsS26KL256SDABHI020Infineon TechnologiesIC FLASH 256MBIT PAR 24FBGA
S2600MSolid State Inc.TO 205 HV SILICON TRANSISTORS2600NS26AL008D70TFCZ20Spansion (Cypress Semiconductor)S26KL512SDABHB020Nexperia USA Inc.S26KL512S - 3V 512MBIT, HYPERFLA
S26B-XADSS-NJST Sales America Inc.CONN HEADER R/A 26POS 2.5MM
MX29LV320EBXEI-70GMacronixIC FLASH 32MBIT PARALLEL 48LFBGA
24LC01BT-E/SNMicrochip TechnologyIC EEPROM 1KBIT I2C 400KHZ 8SOICS26MD02VSharp MicroelectronicsS26MD01Sharp Microelectronics
DS1230YP-100Analog Devices Inc./Maxim IntegratedIC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที