ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี S28HS02GTFPBHM050
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - S28HS02GTFPBHM050 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - S28HS02GTFPBHM050
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.7V ~ 2V | |
| เทคโนโลยี | FLASH - NOR (SLC) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 24-FBGA (8x8) | |
| ชุด | Semper™ | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 24-VBGA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 125°C (TA) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 2Gbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 256M x 8 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | SPI - Octal I/O | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | FLASH | |
| ความถี่นาฬิกา | 166 MHz |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies S28HS02GTFPBHM050
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | S28HS02GTFPBHM050 | AS4C2M32S-6BIN | SST39WF1602-70-4I-B3KE | MT49H32M18FM-25E:B |
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Alliance Memory, Inc. | Microchip Technology | Micron Technology Inc. |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.7V ~ 2V | 3V ~ 3.6V | 1.65V ~ 1.95V | 1.7V ~ 1.9V |
| รูปแบบหน่วยความจำ | FLASH | DRAM | FLASH | DRAM |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 125°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | 0°C ~ 95°C (TC) |
| เทคโนโลยี | FLASH - NOR (SLC) | SDRAM | FLASH | DRAM |
| ขนาดหน่วยความจำ | 2Gbit | 64Mbit | 16Mbit | 576Mbit |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 24-FBGA (8x8) | 90-TFBGA (8x13) | 48-TFBGA | 144-µBGA (18.5x11) |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | SPI - Octal I/O | Parallel | Parallel | Parallel |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 24-VBGA | 90-TFBGA | 48-TFBGA | 144-TFBGA |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | Tray | Tray | Bulk |
| ความถี่นาฬิกา | 166 MHz | 166 MHz | - | 400 MHz |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | 2ns | 40µs | - |
| ชุด | Semper™ | - | SST39 MPF™ | - |
| องค์กรหน่วยความจำ | 256M x 8 | 2M x 32 | 1M x 16 | 32M x 18 |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | Volatile | Non-Volatile | Volatile |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล S28HS02GTFPBHM050 PDF และเอกสาร Infineon Technologies สำหรับ S28HS02GTFPBHM050 - Infineon Technologies
AS4C2M32S-6BINAlliance Memory, Inc.IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGASST39WF1602-70-4I-B3KEMicrochip TechnologyIC FLASH 16MBIT PARALLEL 48TFBGAMT49H32M18FM-25E:BMicron Technology Inc.IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
AT28C64E-15PCMicrochip TechnologyIC EEPROM 64KBIT PARALLEL 28DIP
SST25VF080B-80-4I-SAE-TMicrochip TechnologyIC FLASH 8MBIT SPI 80MHZ 8SOICS2812A150SEIKO
IDT6116SA45SORenesas Electronics America IncIC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88FMicron Technology Inc.IC FLASH RAM 2GBIT PAR 162VFBGA
MX29LV040CTI-70GMacronixIC FLASH 4MBIT PARALLEL 32TSOPS2860B150SEIKOS28030PRIA1MACONM
AT25040N-10SC-2.7Microchip TechnologyIC EEPROM 4KBIT SPI 3MHZ 8SOICN25Q256A11E1240EMicron Technology Inc.IC FLASH 256MBIT SPI 24TPBGAS288-A1-RHAMBARELLA
AS6C62256A-70PINAlliance Memory, Inc.IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP
CY62136ESL-45ZSXITInfineon TechnologiesIC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP IIAT24C64AN-10SU-2.7Microchip TechnologyIC EEPROM 64KBIT I2C 8SOIC
25LC512-I/MFMicrochip TechnologyIC EEPROM 512KBIT SPI 20MHZ 8DFN| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที