ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SDT08S60
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - SDT08S60 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - SDT08S60
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.7 V @ 8 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | |
| เทคโนโลยี | SiC (Silicon Carbide) Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO220-2-2 | |
| ความเร็ว | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
| ชุด | CoolSiC™+ | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 0 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 300 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 8A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 280pF @ 0V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SDT08S |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies SDT08S60
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | SDT08S60 | SDT06S60 | SDT04S60 | SDT10A100CT |
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Diodes Incorporated |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 600 V | 100 V |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 300 µA @ 600 V | 200 µA @ 600 V | 200 µA @ 600 V | 50 µA @ 100 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO220-2-2 | PG-TO220-2-2 | PG-TO220-2-2 | TO-220-3 |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.7 V @ 8 A | 1.7 V @ 6 A | 1.9 V @ 4 A | 660 mV @ 5 A |
| ชุด | CoolSiC™+ | CoolSiC™+ | CoolSiC™+ | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SDT08S | SDT06S | SDT04S | SDT10 |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 0 ns | 0 ns | 0 ns | - |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 280pF @ 0V, 1MHz | 300pF @ 0V, 1MHz | 150pF @ 0V, 1MHz | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | TO-220-2 | TO-220-2 | TO-220-3 |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 8A | 6A | 4A | - |
| ความเร็ว | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| เทคโนโลยี | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | Schottky |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SDT08S60 PDF และเอกสาร Infineon Technologies สำหรับ SDT08S60 - Infineon Technologies
SDT10A100CTDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 100V 5A TO220ABSDT100GK12SIRECTIFIERIGBT ModuleSDT06S60Infineon TechnologiesDIODE SIL CARB 600V 6A TO220-2-2SDT100GK08SIRECTIFIERIGBT ModuleSDT05HAUKSDT0804T-151M-NChilisin ElectronicsSDT05SFAUKSDT100GK16SIRECTIFIERIGBT ModuleSDT03N04 MOSSAMHOP
SDT10100CTFPDiodes IncorporatedDIODE ARRAY SCHOTT 100V TO220ABSDT05SAUKSDT10100CTDiodes IncorporatedDIODE ARRAY SCHOT 100V TO220ABSDT0502-220MNPSDT10A100CDiodes IncorporatedSDT100GK14SIRECTIFIERIGBT ModuleSDT05JAUKSDT03N04SAMHOPSDT04S60Infineon TechnologiesDIODE SIL CARB 600V 4A TO220-2-2| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที