ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SDT12S60
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - SDT12S60 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - SDT12S60
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.7 V @ 12 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | |
| เทคโนโลยี | SiC (Silicon Carbide) Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO220-2-2 | |
| ความเร็ว | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
| ชุด | CoolSiC™+ | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 0 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 400 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 12A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 450pF @ 1V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SDT12S |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies SDT12S60
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | SDT12S60 | SDT10A45P5-13 | SDT10A100P5-7 | SDT15H100P5-13 |
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 450pF @ 1V, 1MHz | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO220-2-2 | PowerDI™ 5 | PowerDI™ 5 | PowerDI™ 5 |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SDT12S | SDT10 | SDT10 | SDT15 |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.7 V @ 12 A | 470 mV @ 10 A | 680 mV @ 10 A | 660 mV @ 15 A |
| ความเร็ว | No Recovery Time > 500mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 400 µA @ 600 V | 300 µA @ 45 V | 100 µA @ 100 V | 250 µA @ 100 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | PowerDI™ 5 | PowerDI™ 5 | PowerDI™ 5 |
| เทคโนโลยี | SiC (Silicon Carbide) Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| ชุด | CoolSiC™+ | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | 45 V | 100 V | 100 V |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 0 ns | - | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 12A | 10A | 10A | 15A |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SDT12S60 PDF และเอกสาร Infineon Technologies สำหรับ SDT12S60 - Infineon Technologies
SDT10A45P5-13Diodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 45V 10A POWERDI5SDT12SFAUKSDT130GK12SIRECTIFIERIGBT ModuleSDT130GK14SIRECTIFIERIGBT ModuleSDT116GK08SIRECTIFIERIGBT ModuleSDT10A100P5-7Diodes IncorporatedDIODE SCHOTKY 100V 10A PDI5 1.5KSDT116GK12SIRECTIFIERIGBT ModuleSDT116GK14SIRECTIFIERIGBT Module
SDT15U120P5-7Diodes IncorporatedSDT10A45P5Diodes IncorporatedSDT1600SSOUSASDT15H100P5-13Diodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 100V 15A POWERDI5SDT116GK18SIRECTIFIERIGBT ModuleSDT15150P5-13Diodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 150V 15A POWERDI5SDT12DAUKSDT12SAUK
SDT10S30Infineon TechnologiesDIODE SIL CARB 300V 10A TO220-2SDT130GK16SIRECTIFIERIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที