ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SGB30N60
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - SGB30N60 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - SGB30N60
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.4V @ 15V, 30A | |
| ทดสอบสภาพ | 400V, 30A, 11Ohm, 15V | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 44ns/291ns | |
| การสลับพลังงาน | 1.29mJ | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO263-3-2 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 250 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | NPT | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 140 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 112 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 41 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SGB30 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies SGB30N60
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | SGB30N60 | SGB8206ANSL3G | SGB8206ANTF4G | SGB8206NHG |
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | onsemi | onsemi | AMI Semiconductor/onsemi |
| การสลับพลังงาน | 1.29mJ | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | 390 V | 390 V | - |
| ทดสอบสภาพ | 400V, 30A, 11Ohm, 15V | - | - | - |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 41 A | 20 A | 20 A | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SGB30 | SGB8206 | SGB8206 | - |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 112 A | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | - |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 140 nC | - | - | - |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.4V @ 15V, 30A | 1.9V @ 4.5V, 20A | 1.9V @ 4.5V, 20A | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO263-3-2 | D2PAK | D2PAK | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 250 W | 150 W | 150 W | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | - |
| ประเภทขาเข้า | Standard | Logic | Logic | - |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 44ns/291ns | - | - | - |
| ประเภท IGBT | NPT | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tube | Bulk | - |
SGB8206NHGAMI Semiconductor/onsemiSGB8206ANSL3GonsemiIGBT 20A, 350V, N-CHANNELSGB4300TRIQUINTSGB250AA80SANREXIGBT Module
SGB15N60HSInfineonSGB10N60AInfineonSGB8206ANTF4GonsemiIGBT 20A, 350V, N-CHANNELSGB02N60Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)SGB07N120INENOI
SGB6533ZRFMDSGB4042328-1MSCSGB4333ZRFMDSGB07N120 GB07N120Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)SGB15N120InfineonSGB2433ZSIRENZA
SGB8206ANT4GHamlin / LittelfuseSGB20N60Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)SGB30N60 G30N60Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที