Name: Infineon Technologies SPB16N50C3ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPB16N50C3ATMA1

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

รายการในสต็อคสามารถจัดส่งได้ภายใน 24 ชั่วโมงบางส่วนจะถูกจัดส่งภายใน 1-2 วันนับจากวันที่รายการทั้งหมดมาถึงคลังสินค้าของเราและเรือ Allelco สั่งซื้อวันละครั้งเวลาประมาณ 17:00 น. ยกเว้นวันอาทิตย์เมื่อสินค้าถูกจัดส่งเวลาส่งมอบโดยประมาณขึ้นอยู่กับวิธีการจัดส่งและปลายทางการจัดส่งตารางด้านล่างแสดงให้เห็นว่าเป็นเวลาโลจิสติกสำหรับบางประเทศทั่วไป

ค่าจัดส่ง

ใช้บัญชีด่วนของคุณสำหรับการจัดส่งหากคุณมี
ใช้บัญชีของเราสำหรับการจัดส่งอ้างถึงตารางด้านล่างสำหรับค่าใช้จ่ายโดยประมาณ

(กรอบเวลา / ประเทศ / ขนาดแพ็คเกจที่แตกต่างกันมีราคาแตกต่างกัน)

วิธีการจัดส่ง

การจัดส่งทั่วไปทั่วโลกโดย DHL / UPS / FedEx / TNT / EMS / SF เราสนับสนุน
วิธีการจัดส่งอื่น ๆ เพิ่มเติมโปรดติดต่อกับผู้จัดการลูกค้าของคุณ

การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป
ภูมิภาค	ประเทศ	เวลาโลจิสติก (วัน)
อเมริกา	สหรัฐ	5
อเมริกา	บราซิล	7
ยุโรป	ประเทศเยอรมนี	5
	ประเทศอังกฤษ	4
	อิตาลี	5
มหาสมุทร	ออสเตรเลีย	6
มหาสมุทร	นิวซีแลนด์	5
เอเชีย	อินเดีย	4
เอเชีย	ประเทศญี่ปุ่น	4
ตะวันออกกลาง	ประเทศอิสราเอล	6

อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx
ค่าจัดส่ง (กก.)	DHL อ้างอิง (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

บันทึก:: ตารางด้านบนมีไว้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้นอาจมีอคติข้อมูลบางอย่างสำหรับปัจจัยที่ไม่สามารถควบคุมได้
ติดต่อเราหากคุณมีคำถามใด ๆ

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id	3.9V @ 675µA
Vgs (สูงสุด)	±20V
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	PG-TO263-3-2
ชุด	CoolMOS™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs	280mOhm @ 10A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด)	160W (Tc)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
บรรจุุภัณฑ์	Tape & Reel (TR)

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds	1600 pF @ 25 V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	66 nC @ 10 V
ประเภท FET	N-Channel
คุณสมบัติ FET	-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On)	10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)	560 V
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส	16A (Tc)
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	SPB16N

คุณสมบัติสินค้า
รุ่นผลิตภัณฑ์	SPB16N50C3ATMA1	SPB18P06PG	SPB18P06P	SPB160N04S2-03
ผู้ผลิต	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds	1600 pF @ 25 V	-	860 pF @ 25 V	7320 pF @ 25 V
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount	-	Surface Mount	Surface Mount
บรรจุุภัณฑ์	Tape & Reel (TR)	-	Tape & Reel (TR)	Bulk
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id	3.9V @ 675µA	-	4V @ 1mA	4V @ 250µA
คุณสมบัติ FET	-	-	-	-
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)	-	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	66 nC @ 10 V	-	28 nC @ 10 V	170 nC @ 10 V
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	SPB16N	-	SPB18P	-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On)	10V	-	10V	10V
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	-	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด)	160W (Tc)	-	81.1W (Ta)	300W (Tc)
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส	16A (Tc)	-	18.7A (Ta)	160A (Tc)
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)	560 V	-	60 V	40 V
ประเภท FET	N-Channel	-	P-Channel	N-Channel
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs	280mOhm @ 10A, 10V	-	130mOhm @ 13.2A, 10V	2.9mOhm @ 80A, 10V
ชุด	CoolMOS™	-	SIPMOS®	OptiMOS®
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	PG-TO263-3-2	-	PG-TO263-3	PG-TO263-7-3
Vgs (สูงสุด)	±20V	-	±20V	±20V

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการ

SPB16N50C3ATMA1 - Infineon Technologies

ขนาด

ชิ้นส่วนที่มีขนาดคล้ายกัน

SPB16N50C3ATMA1 Datasheet PDF

สิ้นค้าที่ลูกค้าคนอื่นสนใจ

สินค้าแนะนำ

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

ค่าจัดส่ง

วิธีการจัดส่ง

สนับสนุนการชำระ

คู่ค้าด้านโซ่อุปทานที่ซื่อสัตย์ของคุณ -

หากพบปัญหาใด ๆ โปรดติดต่อเรา

การรับรองและการเป็นสมาชิค