ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SPN01N60C3
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - SPN01N60C3 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - SPN01N60C3
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3.7V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-SOT223-4 | |
ชุด | CoolMOS™ | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 500mA, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 1.8W (Ta) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-261-4, TO-261AA | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 100 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 5 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 650 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 300mA (Ta) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SPN01N |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies SPN01N60C3
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | SPN01N60C3 | SPN03N60C3 | SPN02N60C3 E6433 | SPN03N60S5 |
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3.7V @ 250µA | 3.9V @ 135µA | 3.9V @ 80µA | 5.5V @ 135µA |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-SOT223-4 | PG-SOT223-4 | PG-SOT223-4 | PG-SOT223-4 |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 100 pF @ 25 V | 400 pF @ 25 V | 200 pF @ 25 V | 440 pF @ 25 V |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 500mA, 10V | 1.4Ohm @ 2A, 10V | 2.5Ohm @ 1.1A, 10V | 1.4Ohm @ 2A, 10V |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 300mA (Ta) | 700mA (Ta) | 400mA (Ta) | 700mA (Ta) |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 5 nC @ 10 V | 17 nC @ 10 V | 13 nC @ 10 V | 12.8 nC @ 10 V |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SPN01N | SPN03N | SPN02N | SPN03N |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA |
ชุด | CoolMOS™ | CoolMOS™ | CoolMOS™ | CoolMOS™ |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 650 V | 650 V | 650 V | 600 V |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 1.8W (Ta) | 1.8W (Ta) | 1.8W (Ta) | 1.8W (Ta) |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SPN01N60C3 PDF และเอกสาร Infineon Technologies สำหรับ SPN01N60C3 - Infineon Technologies
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที