ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SPW17N80C3A
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - SPW17N80C3A คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - SPW17N80C3A
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3.9V @ 1mA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO247-3-1 | |
ชุด | CoolMOS™ | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 290mOhm @ 11A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 227W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2320 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 177 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 800 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 17A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SPW17N |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies SPW17N80C3A
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | SPW17N80C3A | SPW16N50C3 | SPW15N60CFD | SPW20N60C3 |
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2320 pF @ 25 V | 1600 pF @ 25 V | 1820 pF @ 25 V | 2400 pF @ 25 V |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 290mOhm @ 11A, 10V | 280mOhm @ 10A, 10V | 330mOhm @ 9.4A, 10V | 190mOhm @ 13.1A, 10V |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 800 V | 500 V | 600 V | 600 V |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | - | Bulk | Bulk |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 227W (Tc) | 160W (Tc) | 156W (Tc) | 208W (Tc) |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO247-3-1 | PG-TO247-3-21 | PG-TO247-3-21 | PG-TO247-3-21 |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 177 nC @ 10 V | 66 nC @ 10 V | 84 nC @ 10 V | 114 nC @ 10 V |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 17A (Tc) | 16A (Tc) | 13.4A (Tc) | 20.7A (Tc) |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ชุด | CoolMOS™ | - | CoolMOS™ | CoolMOS™ |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3.9V @ 1mA | 3.9V @ 675µA | 5V @ 750µA | 3.9V @ 1mA |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SPW17N | - | - | - |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SPW17N80C3A PDF และเอกสาร Infineon Technologies สำหรับ SPW17N80C3A - Infineon Technologies
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที