ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี CY62126DV30LL-55ZXI
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Cypress Semiconductor Corp - CY62126DV30LL-55ZXI คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Cypress Semiconductor Corp - CY62126DV30LL-55ZXI
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Cypress Semiconductor | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 55ns | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 2.2V ~ 3.6V | |
| เทคโนโลยี | SRAM - Asynchronous | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 44-TSOP II | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 1Mbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 64K x 16 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | SRAM | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | CY62126 | |
| เวลาในการเข้าถึง | 55 ns |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Cypress Semiconductor Corp CY62126DV30LL-55ZXI
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | CY62126DV30LL-55ZXI | CY62126DV30L-55ZSXE | CY62126DV30LL-70ZI | CY62126ESL-45ZSXI |
| ผู้ผลิต | Cypress Semiconductor Corp | Infineon Technologies | Cypress Semiconductor Corp | Infineon Technologies |
| ชุด | - | MoBL® | MoBL® | MoBL® |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | Parallel | Parallel | Parallel |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tube | Bulk | Tube |
| ขนาดหน่วยความจำ | 1Mbit | 1Mbit | 1Mbit | 1Mbit |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 2.2V ~ 3.6V | 2.2V ~ 3.6V | 2.2V ~ 3.6V | 2.2V ~ 5.5V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 44-TSOP II | 44-TSOP II | 44-TSOP II | 44-TSOP II |
| องค์กรหน่วยความจำ | 64K x 16 | 64K x 16 | 64K x 16 | 64K x 16 |
| เทคโนโลยี | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | CY62126 | CY62126 | CY62126 | CY62126 |
| รูปแบบหน่วยความจำ | SRAM | SRAM | SRAM | SRAM |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 125°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | Volatile | Volatile | Volatile |
| เวลาในการเข้าถึง | 55 ns | 55 ns | 70 ns | 45 ns |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 55ns | 55ns | 70ns | 45ns |
CY621128ELL-45ZXICypress SemiconductorCY62126DV30L-55ZSXEInfineon TechnologiesIC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP IICY62126DV30LL-70ZICypress Semiconductor CorpIC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II
CY62126DV30L-55ZSXE-PBF-T2CYCY62126ESL-45ZSXIInfineon TechnologiesIC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP IICY62126DV30LL-55BVXICypress Semiconductor CorpIC SRAM 1MBIT PARALLEL 48VFBGACY62126DV30LL-70ZXICypress Semiconductor
CY62126EV18LL-70BVXIInfineon TechnologiesIC SRAM 1MBIT PARALLEL 48VFBGACY62126EV30LCY62126DV30LL-70ZITCypress SemiconductorCY62126DV30LL-55BVXITCIRRUSCY62126DV30LL-55BVICypress Semiconductor CorpIC SRAM 1MBIT PARALLEL 48VFBGACY62126DV30LL-55ZICYCY62126BVLL-70ZICYEESSCY62126DV30LL-70ZXITCypress SemiconductorCY62126EV30LL-45BVXITInfineon TechnologiesIC SRAM 1MBIT PARALLEL 48VFBGACY62126BVLL-55ZICypress SemiconductorCY62126EV30LL-45BVXIInfineon TechnologiesIC SRAM 1MBIT PARALLEL 48VFBGA| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที