ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี CY7C199-25VI
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Cypress Semiconductor Corp - CY7C199-25VI คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Cypress Semiconductor Corp - CY7C199-25VI
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Cypress Semiconductor | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 25ns | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 4.5V ~ 5.5V | |
| เทคโนโลยี | SRAM - Asynchronous | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 28-SOJ | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 256Kbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 32K x 8 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | SRAM | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | CY7C199 | |
| เวลาในการเข้าถึง | 25 ns |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Cypress Semiconductor Corp CY7C199-25VI
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | CY7C199-25VI | CY7C199-25VIT | CY7C199-35VC | CY7C199-25VC |
| ผู้ผลิต | Cypress Semiconductor Corp | Cypress Semiconductor Corp | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | Parallel | Parallel | Parallel |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 28-SOJ | 28-SOJ | 28-SOJ | 28-SOJ |
| ชุด | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | 0°C ~ 70°C (TA) | 0°C ~ 70°C (TA) |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 25ns | 25ns | 35ns | 25ns |
| องค์กรหน่วยความจำ | 32K x 8 | 32K x 8 | 32K x 8 | 32K x 8 |
| รูปแบบหน่วยความจำ | SRAM | SRAM | SRAM | SRAM |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | CY7C199 | CY7C199 | CY7C199 | CY7C199 |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Tube | Tube |
| ขนาดหน่วยความจำ | 256Kbit | 256Kbit | 256Kbit | 256Kbit |
| เวลาในการเข้าถึง | 25 ns | 25 ns | 35 ns | 25 ns |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 4.5V ~ 5.5V | 4.5V ~ 5.5V | 4.5V ~ 5.5V | 4.5V ~ 5.5V |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | Volatile | Volatile | Volatile |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) | 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) | 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) | 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) |
| เทคโนโลยี | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous |
CY7C199-20ZCRochester Electronics, LLCCY7C199 - 32K X 8 STATIC RAM
CY7C199-35SCCypress SemiconductorCY7C199-25SCRochester Electronics, LLCCY7C199 - 32K X 8 STATIC RAMCY7C199-25VIRochester Electronics, LLCCY7C199 - 32K X 8 STATIC RAMCY7C199-25VITRochester Electronics, LLCCY7C199 - 32K X 8 STATIC RAMCY7C199-25VITCypress Semiconductor CorpIC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJCY7C199-25DMBCypress SemiconductorCY7C199-35VCInfineon TechnologiesIC SRAM 256KBIT 35NS 28SOJCY7C199-25VCInfineon TechnologiesIC SRAM 256KBIT 25NS 28SOJCY7C199-25VCTCypress SemiconductorCY7C199-35VCRochester Electronics, LLCCY7C199 - 32K X 8 STATIC RAMCY7C199-25VCRochester Electronics, LLCCY7C199 - 32K X 8 STATIC RAMCY7C199-35DMBCypress SemiconductorCY7C199-25PCCypress Semiconductor
CY7C199-35PCInfineon TechnologiesIC SRAM 256KBIT PARALLEL 28DIPCY7C199-25LMBCypress SemiconductorCY7C199-20ZCQCypress Semiconductor
CY7C199-25SCCypress Semiconductor CorpIC SRAM 256KBIT PARALLEL| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที