ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N5404-B
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Diodes Incorporated - 1N5404-B คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Diodes Incorporated - 1N5404-B
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Diodes Incorporated | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 3 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 400 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-201AD | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-201AD, Axial |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 400 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5404 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Diodes Incorporated 1N5404-B
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N5404-B | 1N5404 | 1N5404 | 1N5404G |
| ผู้ผลิต | Diodes Incorporated | NTE Electronics, Inc | Diotec Semiconductor | Taiwan Semiconductor Corporation |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -50°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 400 V | 400 V | 400 V | 400 V |
| ชุด | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-201AD | DO-201AD | DO-201 | DO-201AD |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 3 A | 1.2 V @ 3 A | 1.2 V @ 3 A | 1 V @ 3 A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-201AD, Axial | DO-201AD, Axial | DO-201AA, DO-27, Axial | DO-201AD, Axial |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 400 V | 5 µA @ 400 V | 5 µA @ 400 V | 5 µA @ 400 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5404 | - | - | 1N5404 |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bag | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz | 30pF @ 4V, 1MHz | - | 25pF @ 4V, 1MHz |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | 3A | 3A | 3A |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N5404-B PDF และเอกสาร Diodes Incorporated สำหรับ 1N5404-B - Diodes Incorporated
1N5404NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD1N5404Diotec SemiconductorDIODE GEN PURP 400V 3A DO2011N5404GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
1N5406Fairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 1V 3A DO15
1N5403RLGAMI Semiconductor/onsemi1N5404RLonsemiDIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL1N5404MDDDIODE GEN PURP 400V 3A DO27
1N5404onsemiDIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
1N5404-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD1N5403-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD
1N5404GSMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD1N5404GonsemiDIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL1N5404RLGonsemiDIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL
1N5404SMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD1N5406NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
1N5404/S3GTAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
1N5404-TDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD1N5404Fairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 1V 3A DO201| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที