ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N5817-B
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Diodes Incorporated - 1N5817-B คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Diodes Incorporated - 1N5817-B
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Diodes Incorporated | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 750 mV @ 3 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 20 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-41 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AL, DO-41, Axial |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 125°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 mA @ 20 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 110pF @ 4V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5817 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Diodes Incorporated 1N5817-B
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N5817-B | 1N5817RL | 1N5817M-13 | 1N5817 |
| ผู้ผลิต | Diodes Incorporated | STMicroelectronics | Diodes Incorporated | NTE Electronics, Inc |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 110pF @ 4V, 1MHz | - | - | 110pF @ 4V, 1MHz |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Through Hole |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-213AB, MELF (Glass) | DO-204AL, DO-41, Axial |
| ชุด | - | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bag |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 125°C | 150°C (Max) | -60°C ~ 125°C | -65°C ~ 125°C |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 mA @ 20 V | 500 µA @ 20 V | 1 mA @ 20 V | 500 µA @ 20 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5817 | 1N58 | 1N5817 | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 750 mV @ 3 A | 450 mV @ 1 A | 450 mV @ 1 A | 450 mV @ 1 A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-41 | DO-41 | MELF | DO-41 |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | 1A | 1A | 1A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 20 V | 20 V | 20 V | 20 V |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N5817-B PDF และเอกสาร Diodes Incorporated สำหรับ 1N5817-B - Diodes Incorporated
1N5817(FM120-M)FORMOS1N5817 S4CJ
1N5817-E373Electro-Films (EFI) / Vishay1N5817 SS121N5817RLSTMicroelectronicsDIODE SCHOTTKY 20V 1A DO411N5817M-13Diodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 20V 1A MELF1N5817 SJCJ1N5817/SS12TOSHIBA/GC1N5817NTE Electronics, IncDIODE SCHOTTKY 20V 1A DO411N5817A-01Diodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 20V 1A DO411N5817-E3/54Vishay1N5817-TDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 20V 1A DO41
1N5817(TE12L)TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
1N5817LT1GAMI Semiconductor/onsemi
1N5817RLonsemiDIODE SCHOTTKY 20V 1A AXIAL1N5817(SS12)TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora1N5817-BRectron USADIODE SCHOTTKY 20V 1A DO411N5817(S4)TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที