ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 2A04G-T
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Diodes Incorporated - 2A04G-T คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Diodes Incorporated - 2A04G-T
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Diodes Incorporated | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 2 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 400 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-15 | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AC, DO-15, Axial |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 400 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 2A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 40pF @ 4V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 2A04 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Diodes Incorporated 2A04G-T
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 2A04G-T | SS26-E3/5BT | CDBQR40-HF | P1000M |
| ผู้ผลิต | Diodes Incorporated | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Comchip Technology | Diotec Semiconductor |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 40pF @ 4V, 1MHz | - | - | - |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-15 | DO-214AA (SMB) | 0402C/SOD-923F | P600 |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 2A04 | SS26 | CDBQR40 | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AC, DO-15, Axial | DO-214AA, SMB | 0402 (1006 Metric) | P600, Axial |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 2 A | 700 mV @ 2 A | 600 mV @ 200 mA | 1.05 V @ 10 A |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 400 V | 60 V | 30 V | 1000 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 2A | 2A | 200mA | 10A |
| เทคโนโลยี | Standard | Schottky | Schottky | Standard |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 400 V | 400 µA @ 60 V | 1 µA @ 10 V | 10 µA @ 1000 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 125°C | 125°C (Max) | -50°C ~ 175°C |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 2A04G-T PDF และเอกสาร Diodes Incorporated สำหรับ 2A04G-T - Diodes Incorporated
SS26-E3/5BTVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 60V 2A DO214AA
2A01 T/RTaiwan Semiconductor
2A08D01FUJI2A07901FUJICDBQR40-HFComchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 30V 200MA 0402P1000MDiotec SemiconductorDIODE GEN PURP 1KV 10A P600
2A03-APMicro Commercial CoDIODE GEN PURP 200V 2A DO152A01-TDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 50V 2A DO15
NSR0240V2T5GonsemiDIODE SCHOTTKY 40V 250MA SOD5232A03G-TDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 200V 2A DO15
GS1006FL_R1_00001Panjit International Inc.DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123FL2A07-TDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 1KV 2A DO15
2A01G-7Diodes Incorporated2A01G-TDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 50V 2A DO15SL23HE3_A/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 30V 2A DO214AA2A05-TDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 600V 2A DO152A03-TDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 200V 2A DO15
2A0565Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที