ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี AS431IAZ-G1
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Diodes Incorporated - AS431IAZ-G1 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Diodes Incorporated - AS431IAZ-G1
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Diodes Incorporated | |
| แรงดันไฟฟ้า - เอาท์พุท (ต่ำสุด / คงที่) | 2.5V | |
| แรงดันไฟฟ้า - เอาท์พุท (สูงสุด) | 36 V | |
| แรงดันไฟฟ้าอินพุต - | - | |
| ความอดทน | ±0.5% | |
| ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ | - | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-92 | |
| ชุด | - | |
| ประเภทอ้างอิง | Shunt | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Box (TB) | |
| ประเภทขาออก | Adjustable | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 125°C (TA) | |
| เสียงรบกวน - 10Hz ถึง 10kHz | - | |
| เสียงรบกวน - 0.1Hz ถึง 10Hz | - | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - อุปทาน | - | |
| ปัจจุบัน - เอาท์พุท | 100 mA | |
| ปัจจุบัน - แคโทด | 50 µA | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | AS431 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Diodes Incorporated AS431IAZ-G1
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | AS431IAZ-G1 | AS431IAZTR-G1 | AS431IBZTR-G1 | AS431HBZTR-G1 |
| ผู้ผลิต | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-92 | TO-92 | TO-92 | TO-92 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Box (TB) | Tape & Box (TB) | Tape & Box (TB) | Bulk |
| เสียงรบกวน - 10Hz ถึง 10kHz | - | - | - | - |
| เสียงรบกวน - 0.1Hz ถึง 10Hz | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| แรงดันไฟฟ้า - เอาท์พุท (ต่ำสุด / คงที่) | 2.5V | 2.5V | 2.5V | 2.495V |
| ชุด | - | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | AS431 | AS431 | AS431 | AS431 |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 125°C (TA) | -40°C ~ 125°C (TA) | -40°C ~ 125°C (TA) | -40°C ~ 125°C (TA) |
| แรงดันไฟฟ้าอินพุต - | - | - | - | - |
| ประเภทขาออก | Adjustable | Adjustable | Adjustable | Adjustable |
| ปัจจุบัน - เอาท์พุท | 100 mA | 100 mA | 100 mA | 100 mA |
| แรงดันไฟฟ้า - เอาท์พุท (สูงสุด) | 36 V | 36 V | 36 V | 36 V |
| ปัจจุบัน - อุปทาน | - | - | - | 4µA |
| ความอดทน | ±0.5% | ±0.5% | ±1% | ±1% |
| ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ | - | - | - | 20ppm/°C Typical |
| ปัจจุบัน - แคโทด | 50 µA | 50 µA | 50 µA | 500 µA |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| ประเภทอ้างอิง | Shunt | Shunt | Shunt | Shunt |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล AS431IAZ-G1 PDF และเอกสาร Diodes Incorporated สำหรับ AS431IAZ-G1 - Diodes Incorporated
AS431M1AI
AS431D-VSilicon PowerAS431LAS
AS431IANTRDiodes IncorporatedAS431D/TRASAS431HM/TR-LFAISEMIAS431IAZTR-G1Diodes IncorporatedIC VREF SHUNT ADJ 0.5% TO92AS431LASALPHAAS431IBZTR-G1Diodes IncorporatedIC VREF SHUNT ADJ 1% TO92AS431HBZTR-G1Diodes IncorporatedIC VREF SHUNT ADJ 0.1% TO92AS431SALPHA
AS431HBNTR-G1Diodes IncorporatedIC VREF SHUNT ADJ 0.1% SOT23AS431LNSIPEXAS431M/TRA1SEMI
AS431IARTR-G1Diodes IncorporatedIC VREF SHUNT ADJ 0.5% SOT89-3AS431IAMTR-G1Diodes IncorporatedAS431IANTR-G1Diodes IncorporatedIC VREF SHUNT ADJ 0.5% SOT23AS431IBNTR-G1Diodes IncorporatedIC VREF SHUNT ADJ 1% SOT23| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที