ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี BAV5004W-7
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Diodes Incorporated - BAV5004W-7 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Diodes Incorporated - BAV5004W-7
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Diodes Incorporated | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.29 V @ 200 mA | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 350 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOD-123 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 50 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOD-123 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 240 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 300mA | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 0.9pF @ 0V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BAV5004 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Diodes Incorporated BAV5004W-7
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | BAV5004W-7 | BAV5005LP-7B | BAV302-TR | BAV303-TR |
| ผู้ผลิต | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| ชุด | - | - | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 300mA | 300mA | 250mA | 250mA |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | 175°C (Max) | 175°C (Max) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOD-123 | 0402 (1006 Metric) | 2-SMD, No Lead | 2-SMD, No Lead |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 350 V | 400 V | 150 V | 200 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BAV5004 | BAV5005 | BAV302 | BAV303 |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 50 ns | - | 50 ns | 50 ns |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 0.9pF @ 0V, 1MHz | 0.9pF @ 0V, 1MHz | 1.5pF @ 0V, 1MHz | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.29 V @ 200 mA | 1.5 V @ 200 mA | 1 V @ 100 mA | 1 V @ 100 mA |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 240 V | 1 µA @ 240 V | 100 nA @ 150 V | 100 nA @ 200 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOD-123 | X1-DFN1006-2 | MicroMELF | MicroMELF |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล BAV5004W-7 PDF และเอกสาร Diodes Incorporated สำหรับ BAV5004W-7 - Diodes Incorporated
BAV5005LP-7BDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 400V 300MA 2DFNBAV302-TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GP 150V 250MA MICROMELF
BAV70 E6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BAV303-TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GP 200V 250MA MICROMELF
BAV316WSPANJITBAV316WS R1PANJIT
BAV5004WS-7Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 350V 300MA SOD323BAV70 T/RPANJITBAV70 A4BAV3004W-TRPANJITBAV301-TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GP 100V 250MA MICROMELFBAV70 HA4FOSHANBAV303_R1_10001PANJITBAV316BAV3004WS-7Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 300V 225MA SOD323BAV70 A4/SOT23YMS
BAV70 A4WFreescale / NXP SemiconductorsBAV3004WT/RPANJIT| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที