ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี BS170P
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Diodes Incorporated - BS170P คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Diodes Incorporated - BS170P
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Diodes Incorporated | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3V @ 1mA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-92 | |
ชุด | - | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 200mA, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 625mW (Ta) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | |
บรรจุุภัณฑ์ | Bulk |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 60 pF @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 270mA (Ta) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BS170 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Diodes Incorporated BS170P
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | BS170P | BS170-D75Z | BS170RLRAG | BS170-D26Z |
ผู้ผลิต | Diodes Incorporated | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
ชุด | - | - | - | - |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 200mA, 10V | 5Ohm @ 200mA, 10V | 5Ohm @ 200mA, 10V | 5Ohm @ 200mA, 10V |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | 60 V | 60 V | 60 V |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 270mA (Ta) | 500mA (Ta) | 500mA (Ta) | 500mA (Ta) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-92 | TO-92-3 | TO-92 (TO-226) | TO-92-3 |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 60 pF @ 10 V | 40 pF @ 10 V | 60 pF @ 10 V | 40 pF @ 10 V |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3V @ 1mA | 3V @ 1mA | 3V @ 1mA | 3V @ 1mA |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 625mW (Ta) | 830mW (Ta) | 350mW (Ta) | 830mW (Ta) |
บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BS170 | BS170 | BS170 | - |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads | TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล BS170P PDF และเอกสาร Diodes Incorporated สำหรับ BS170P - Diodes Incorporated
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที