ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี BZX84C6V8TS-7-F
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Diodes Incorporated - BZX84C6V8TS-7-F คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Diodes Incorporated - BZX84C6V8TS-7-F
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Diodes Incorporated | |
| แรงดันไฟฟ้า - ซีเนอร์ (Nom) (Vz) | 6.8 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 900 mV @ 10 mA | |
| ความอดทน | ±6% | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-363 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 200 mW | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ความต้านทาน (สูงสุด) (ZZT) | 15 Ohms | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 2 µA @ 4 V | |
| องค์ประกอบ | 3 Independent | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BZX84 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Diodes Incorporated BZX84C6V8TS-7-F
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | BZX84C6V8TS-7-F | BZX84C6V8S-7-F | BZX84C75LT1G | BZX84C6V8ET1G |
| ผู้ผลิต | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | onsemi | AMI Semiconductor/onsemi |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BZX84 | BZX84 | BZX84C75 | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ซีเนอร์ (Nom) (Vz) | 6.8 V | 6.8 V | 75 V | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-363 | SOT-363 | SOT-23-3 (TO-236) | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 2 µA @ 4 V | 2 µA @ 4 V | 50 nA @ 52.5 V | - |
| ความอดทน | ±6% | ±5.88% | ±6% | - |
| องค์ประกอบ | 3 Independent | 2 Independent | - | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 200 mW | 200 mW | 225 mW | - |
| ชุด | - | - | BZX84CxxxLT1G | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 900 mV @ 10 mA | 900 mV @ 10 mA | 900 mV @ 10 mA | - |
| ความต้านทาน (สูงสุด) (ZZT) | 15 Ohms | 15 Ohms | 255 Ohms | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C (TJ) | -65°C ~ 150°C (TJ) | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล BZX84C6V8TS-7-F PDF และเอกสาร Diodes Incorporated สำหรับ BZX84C6V8TS-7-F - Diodes Incorporated
BZX84C75LT1GonsemiDIODE ZENER 75V 250MW SOT23-3BZX84C6V8ET1GAMI Semiconductor/onsemi
BZX84C6V8T/RPANJITBZX84C75LT1G/23-75VAMI Semiconductor/onsemiBZX84C6V8LT3GonsemiDIODE ZENER 6.8V 250MW SOT23-3BZX84C75LT1onsemiDIODE ZENER 75V 225MW SOT23-3BZX84C7V5onsemiBZX84C7V5 - ZENER DIODE SINGLE 7
BZX84C7V5Taiwan Semiconductor CorporationSOT-23, 300MW, 5%, SMALL SIGNAL
BZX84C6V8QYangjie TechnologyDiodes - Rectifiers - Single SOT
BZX84C6V8W-7-FDiodes IncorporatedDIODE ZENER 6.8V 200MW SOT323
BZX84C6V8-V-GS08Electro-Films (EFI) / VishayBZX84C75ONsemiBZX84C6V8Q-7-FDiodes IncorporatedZENER DIODE SOT23 T&R 3KBZX84C6V8LT1GonsemiDIODE ZENER 6.8V 250MW SOT23-3
BZX84C6V8LT1onsemiDIODE ZENER 6.8V 225MW SOT23-3
BZX84C75_R1_00001Panjit International Inc.SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODBZX84C6V8S-7-FDiodes IncorporatedDIODE ZENER ARRAY 6.8V SOT363
BZX84C7.5VSTMicroelectronics| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที