ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี DMN2990UFA-7B
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Diodes Incorporated - DMN2990UFA-7B คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Diodes Incorporated - DMN2990UFA-7B
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Diodes Incorporated | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±8V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | X2-DFN0806-3 | |
ชุด | - | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 990mOhm @ 100mA, 4.5V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 400mW (Ta) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 3-XFDFN | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 27.6 pF @ 16 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 0.5 nC @ 4.5 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 510mA (Ta) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | DMN2990 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Diodes Incorporated DMN2990UFA-7B
คุณสมบัติสินค้า | ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | DMN2990UFA-7B | DMN2990UFB-7B | DMN2990UFZ-7B | DMN26D0UFB4-7B |
ผู้ผลิต | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
ชุด | - | Automotive, AEC-Q101 | - | - |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 510mA (Ta) | 780mA (Ta) | 250mA (Ta) | 240mA (Ta) |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V | 1.8V, 4.5V | 1.2V, 4.5V | 1.5V, 4.5V |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | X2-DFN0806-3 | X1-DFN1006-3 | X2-DFN0606-3 | X2-DFN1006-3 |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 27.6 pF @ 16 V | 31 pF @ 15 V | 55.2 pF @ 16 V | 14.1 pF @ 15 V |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 990mOhm @ 100mA, 4.5V | 990mOhm @ 100mA, 4.5V | 990mOhm @ 100mA, 4.5V | 3Ohm @ 100mA, 4.5V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 400mW (Ta) | 520mW (Ta) | 320mW (Ta) | 350mW (Ta) |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1V @ 250µA | 1V @ 250A | 1V @ 250µA | 900mV @ 250µA |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 3-XFDFN | 3-UFDFN | 3-XFDFN | 3-XFDFN |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | DMN2990 | DMN2990 | DMN2990 | - |
Vgs (สูงสุด) | ±8V | ±8V | ±8V | ±10V |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20 V | 20 V | 20 V | 20 V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 0.5 nC @ 4.5 V | 0.41 nC @ 4.5 V | 0.5 nC @ 4.5 V | - |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล DMN2990UFA-7B PDF และเอกสาร Diodes Incorporated สำหรับ DMN2990UFA-7B - Diodes Incorporated
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที