ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี DMN3730UFB-7
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Diodes Incorporated - DMN3730UFB-7 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Diodes Incorporated - DMN3730UFB-7
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Diodes Incorporated | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 950mV @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±8V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | X1-DFN1006-3 | |
ชุด | - | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 460mOhm @ 200mA, 4.5V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 470mW (Ta) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 3-UFDFN | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 64.3 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 1.6 nC @ 4.5 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 750mA (Ta) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | DMN3730 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Diodes Incorporated DMN3730UFB-7
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | DMN3730UFB-7 | DMN3730U-7 | DMN3900UFA-7B | DMN3730UFB4-7B |
ผู้ผลิต | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 3-UFDFN | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 3-XFDFN | 3-XFDFN |
Vgs (สูงสุด) | ±8V | ±8V | ±8V | ±8V |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 750mA (Ta) | 750mA (Ta) | 550mA (Ta) | 750mA (Ta) |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 460mOhm @ 200mA, 4.5V | 460mOhm @ 200mA, 4.5V | 760mOhm @ 200mA, 4.5V | 460mOhm @ 200mA, 4.5V |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | DMN3730 | DMN3730 | DMN3900 | DMN3730 |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 950mV @ 250µA | 950mV @ 250µA | 950mV @ 250µA | 950mV @ 250µA |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | X1-DFN1006-3 | SOT-23-3 | X2-DFN0806-3 | X2-DFN1006-3 |
ชุด | - | - | - | Automotive, AEC-Q101 |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 64.3 pF @ 25 V | 64.3 pF @ 25 V | 42.2 pF @ 25 V | 64.3 pF @ 25 V |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 470mW (Ta) | 450mW (Ta) | 390mW (Ta) | 470mW (Ta) |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V | 1.8V, 4.5V | 1.8V, 4.5V | 1.8V, 4.5V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 1.6 nC @ 4.5 V | 1.6 nC @ 4.5 V | 0.7 nC @ 4.5 V | 1.6 nC @ 4.5 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล DMN3730UFB-7 PDF และเอกสาร Diodes Incorporated สำหรับ DMN3730UFB-7 - Diodes Incorporated
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที