ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี DMP1011LFV-13
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Diodes Incorporated - DMP1011LFV-13 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Diodes Incorporated - DMP1011LFV-13
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Diodes Incorporated | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.2V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | -6V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PowerDI3333-8 | |
ชุด | - | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 11.7mOhm @ 12A, 4.5V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 2.16W | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-PowerVDFN | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 913 pF @ 6 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 9.5 nC @ 6 V | |
ประเภท FET | P-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 12 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 19A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | DMP1011 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Diodes Incorporated DMP1011LFV-13
คุณสมบัติสินค้า | ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | DMP1011LFV-13 | DMP1009UFDF-7 | DMP1012UFDF-7 | DMP1012UCB9-7 |
ผู้ผลิต | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 12 V | 12 V | 12 V | 8 V |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 19A (Tc) | 15A (Ta) | 12.6A (Ta), 20A (Tc) | 10A (Ta) |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 2.16W | 2W (Ta) | 720mW (Ta) | 890mW (Ta) |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-PowerVDFN | 6-UDFN Exposed Pad | 6-UDFN Exposed Pad | 9-UFBGA, WLBGA |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | 1.8V, 4.5V | 1.8V, 4.5V | 2.5V, 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 913 pF @ 6 V | 1860 pF @ 10 V | 1344 pF @ 10 V | 1060 pF @ 4 V |
ชุด | - | - | - | - |
Vgs (สูงสุด) | -6V | ±8V | ±8V | -6V |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.2V @ 250µA | 1V @ 250µA | 900mV @ 250µA | 1.1V @ 250µA |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
ประเภท FET | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | DMP1011 | DMP1009 | DMP1012 | DMP1012 |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PowerDI3333-8 | U-DFN2020-6 (Type F) | U-DFN2020-6 (Type F) | U-WLB1515-9 |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 11.7mOhm @ 12A, 4.5V | 11mOhm @ 5A, 4.5V | 15mOhm @ 5A, 4.5V | 10mOhm @ 2A, 4.5V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 9.5 nC @ 6 V | 44 nC @ 8 V | 31 nC @ 8 V | 10.5 nC @ 4.5 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล DMP1011LFV-13 PDF และเอกสาร Diodes Incorporated สำหรับ DMP1011LFV-13 - Diodes Incorporated
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที