ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี DMS3016SFG-7
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Diodes Incorporated - DMS3016SFG-7 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Diodes Incorporated - DMS3016SFG-7
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Diodes Incorporated | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2.2V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±12V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PowerDI3333-8 | |
ชุด | - | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 11.2A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 980mW (Ta) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-PowerVDFN | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1886 pF @ 15 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 44.6 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | Schottky Diode (Body) | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 7A (Ta) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Diodes Incorporated DMS3016SFG-7
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | DMS3016SFG-7 | DMS3016SSS-13 | DMS3016SSSA-13 | DMS3015SSS-13 |
ผู้ผลิต | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-PowerVDFN | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 7A (Ta) | 9.8A (Ta) | 9.8A (Ta) | 11A (Ta) |
Vgs (สูงสุด) | ±12V | ±12V | ±12V | ±12V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 44.6 nC @ 10 V | 43 nC @ 10 V | 43 nC @ 10 V | 30.6 nC @ 10 V |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 11.2A, 10V | 13mOhm @ 9.8A, 10V | 13mOhm @ 9.8A, 10V | 11.9mOhm @ 11A, 10V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
ชุด | - | - | - | - |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 980mW (Ta) | 1.54W (Ta) | 1.54W (Ta) | 1.55W (Ta) |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1886 pF @ 15 V | 1849 pF @ 15 V | 1849 pF @ 15 V | 1276 pF @ 15 V |
คุณสมบัติ FET | Schottky Diode (Body) | Schottky Diode (Body) | Schottky Diode (Body) | Schottky Diode (Body) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PowerDI3333-8 | 8-SO | 8-SO | 8-SO |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2.2V @ 250µA | 2.3V @ 250µA | 2.3V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล DMS3016SFG-7 PDF และเอกสาร Diodes Incorporated สำหรับ DMS3016SFG-7 - Diodes Incorporated
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที