ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี ES1A-13-F
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Diodes Incorporated - ES1A-13-F คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Diodes Incorporated - ES1A-13-F
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Diodes Incorporated | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 920 mV @ 1 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 50 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SMA | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 25 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AC, SMA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 50 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | ES1A |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Diodes Incorporated ES1A-13-F
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | ES1A-13-F | ES1A-E3/5AT | ES1A-E3/61T | ES1B-13-F |
| ผู้ผลิต | Diodes Incorporated | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Diodes Incorporated |
| ชุด | - | - | - | - |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 25 ns | 25 ns | 25 ns | 25 ns |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 50 V | 50 V | 50 V | 100 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 155°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 920 mV @ 1 A | 920 mV @ 1 A | 920 mV @ 1 A | 920 mV @ 1 A |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 50 V | 5 µA @ 50 V | 5 µA @ 50 V | 5 µA @ 100 V |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz | 10pF @ 4V, 1MHz | 10pF @ 4V, 1MHz | 10pF @ 4V, 1MHz |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | 1A | 1A | 1A |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | ES1A | ES1 | ES1 | ES1B |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SMA | DO-214AC (SMA) | DO-214AC (SMA) | SMA |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล ES1A-13-F PDF และเอกสาร Diodes Incorporated สำหรับ ES1A-13-F - Diodes Incorporated
ES1968ESSES1946SESSES1983SESS
ES1A_NLFairchild (onsemi)ES1B T/RPANJITES1A-E3/5ATVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 50V 1A DO214ACES1988SESSES1968SESS
ES1A-E3/61Electro-Films (EFI) / VishayES1A-E3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC
ES1A R3Taiwan SemiconductorES1B-2GSI TechnologyES1978SESSES1989SESSES1B-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 100V 1A SMAES1AHE3_A/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 50V 1A DO214ACES1A-M3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 50V 1A DO214ACES1B F3Taiwan Semiconductor| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที