ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี ES2C-13
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Diodes Incorporated - ES2C-13 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Diodes Incorporated - ES2C-13
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Diodes Incorporated | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 920 mV @ 2 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 150 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SMB | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 25 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AA, SMB | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 150 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 2A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 25pF @ 4V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | ES2C |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Diodes Incorporated ES2C-13
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | ES2C-13 | ES2CA-13 | ES2BA-13 | ES2B-E3/52T |
| ผู้ผลิต | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 150 V | 5 µA @ 150 V | 5 µA @ 100 V | 10 µA @ 100 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AA, SMB | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA | DO-214AA, SMB |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SMB | SMA | SMA | DO-214AA (SMB) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 25 ns | 25 ns | 25 ns | 30 ns |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 150 V | 150 V | 100 V | 100 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | ES2C | ES2C | ES2B | ES2 |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 25pF @ 4V, 1MHz | 25pF @ 4V, 1MHz | 25pF @ 4V, 1MHz | 18pF @ 4V, 1MHz |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 920 mV @ 2 A | 920 mV @ 2 A | 920 mV @ 2 A | 900 mV @ 2 A |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 2A | 2A | 2A | 2A |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล ES2C-13 PDF และเอกสาร Diodes Incorporated สำหรับ ES2C-13 - Diodes Incorporated
ES2B/5Electro-Films (EFI) / VishayES2CA-13Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 150V 2A SMA
ES2CBGSHIKUESES2B-E3/52Electro-Films (EFI) / VishayES2D T/RPANJITES2B-E3/2CTElectro-Films (EFI) / Vishay
ES2D R4Taiwan SemiconductorES2BA-13Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 100V 2A SMAES2B-E3/52TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 100V 2A DO214AAES2BA-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 100V 2A SMAES2C-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 150V 2A SMB
ES2BA-7-FDiodes IncorporatedES2BA-FDI+899:910CT-NDDIODEES2CA-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 150V 2A SMB
ES2C-TPMicro Commercial CoDIODE GEN PURP 150V 2A DO214ACES2C-E3/52TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 150V 2A DO214AAES2C-E3Electro-Films (EFI) / Vishay
ES2BA R3GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที