ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี ES3B-13
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Diodes Incorporated - ES3B-13 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Diodes Incorporated - ES3B-13
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Diodes Incorporated | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 900 mV @ 3 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SMC | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 25 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AB, SMC | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 100 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 45pF @ 4V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | ES3B |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Diodes Incorporated ES3B-13
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | ES3B-13 | ES3A-E3/57T | ES3C-E3/57T | ES3ABF |
| ผู้ผลิต | Diodes Incorporated | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Yangjie Technology |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AB, SMC | DO-214AB, SMC | DO-214AB, SMC | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 100 V | 10 µA @ 50 V | 10 µA @ 150 V | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 900 mV @ 3 A | 900 mV @ 3 A | 900 mV @ 3 A | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SMC | DO-214AB (SMC) | DO-214AB (SMC) | - |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 45pF @ 4V, 1MHz | 45pF @ 4V, 1MHz | 45pF @ 4V, 1MHz | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | 50 V | 150 V | - |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 25 ns | 30 ns | 30 ns | - |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | - |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | ES3B | ES3A | ES3C | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | 3A | 3A | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล ES3B-13 PDF และเอกสาร Diodes Incorporated สำหรับ ES3B-13 - Diodes Incorporated
ES3A-E3/57TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 50V 3A DO214ABES3C-E3/57TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 150V 3A DO214ABES3890FFESSES3ABFYangjie TechnologyDiodes - Rectifiers - Single SMB
ES3B-E3/5TElectro-Films (EFI) / Vishay
ES3B_NLFairchild (onsemi)
ES3BB-13Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 100V 3A SMBES3B-E3/57TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 100V 3A DO214ABES3A-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 50V 3A SMC
ES3B R7Taiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 100V 3A DO214ABES3BB-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 100V 3A SMB
ES3B002WF1R1000JAE ElectronicsCONN SSL RCPT 2POS 3.6MM SOLDERES3B-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 100V 3A SMCES3ABGSHIKUESES3A R7Taiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 50V 3A DO214ABES3890FESSES3C-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 150V 3A SMCES3AB-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 50V 3A SMB| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที