ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี KBP306G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Diodes Incorporated - KBP306G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Diodes Incorporated - KBP306G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Diodes Incorporated | |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 600 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 3 A | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | KBP | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SIP, KBP |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | KBP306 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Affected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.10.0080 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Diodes Incorporated KBP306G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | KBP306G | KBP307 | KBP306 | KBP306G |
| ผู้ผลิต | Diodes Incorporated | MDD | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Diotec Semiconductor |
| ชุด | - | KBP | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | KBP306 | - | - | KBP306 |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3 A | 125 mA | 3 A | 1.8 A |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 600 V | 10 µA @ 600 V | 10 µA @ 600 V | 5 µA @ 600 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SIP, KBP | 4-SIP, KBP | 4-SIP, KBP | 4-SIP, KBP |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | Single Phase | Single Phase | Single Phase |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | KBP | KBP | KBP | KBP |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Box | Box | Box |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 3 A | 1.1 V @ 3 A | 1.05 V @ 1.5 A | 1.1 V @ 3 A |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -50°C ~ 150°C (TJ) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล KBP306G PDF และเอกสาร Diodes Incorporated สำหรับ KBP306G - Diodes Incorporated
KBP307MDDBRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A KBP
KBP210G_HFLITEONKBP306Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 600V 3A KBPKBP306GDiotec Semiconductor1PH BRIDGE KBP 600V 3AKBP308GDiotec Semiconductor1PH BRIDGE KBP 800V 3A
KBP308GSMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 800V 3A KBP
KBP308_B0_10001-PECPANJIT
KBP210G-BPMicro Commercial CoBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A GBP
KBP305GTaiwan SemiconductorKBP306GSMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A KBPKBP308Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 800V 3A KBPKBP307-HBHBKBP3010_B0_10001PANJITKBP308G-C-HFLITEON
KBP2640LUMILEDSKBP3010_B0_10001-PECPANJITKBP308GDiodes IncorporatedBRIDGE RECTIFIER KBP TUBE 35PCSKBP307GSTS| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที