ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBR10150CT-E1
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Diodes Incorporated - MBR10150CT-E1 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Diodes Incorporated - MBR10150CT-E1
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Diodes Incorporated | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 920 mV @ 5 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 150 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 175°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 µA @ 150 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 5A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR10150 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Diodes Incorporated MBR10150CT-E1
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBR10150CT-E1 | MBR10150CT | MBR10150CTF-E1 | MBR10150CTP |
| ผู้ผลิต | Diodes Incorporated | SMC Diode Solutions | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 920 mV @ 5 A | 930 mV @ 5 A | 920 mV @ 5 A | 910 mV @ 5 A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 150 V | 150 V | 150 V | 150 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 µA @ 150 V | 1 mA @ 150 V | 100 µA @ 150 V | 50 µA @ 150 V |
| ชุด | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Isolated Tab |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR10150 | MBR10150 | MBR10150 | MBR10150 |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 175°C (Max) | -55°C ~ 150°C | 175°C (Max) | -65°C ~ 175°C |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 5A | 5A | 5A | 5A |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | TO-220AB | TO-220F-3 | ITO-220S |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBR10150CT-E1 PDF และเอกสาร Diodes Incorporated สำหรับ MBR10150CT-E1 - Diodes Incorporated
MBR10150CTSMC Diode SolutionsDIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO220
MBR10150CTGAMI Semiconductor/onsemiMBR10150CTF-E1Diodes IncorporatedDIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO220FMBR10150CTPDiodes IncorporatedDIODE ARRAY SCHOTTKY 150V ITO220
MBR10150Taiwan Semiconductor CorporationDIODE SCHOTTKY 150V 10A TO220ACMBR10150CT-LJDiodes IncorporatedDIODE ARRAY 150V 5A TO220AB
MBR10150CTYangjie TechnologyTO-220AB 150V 10.0A Diodes RecMBR10150CJMOSPECMBR10150CT-G1Diodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 150V 5A TO220ABMBR10150CTFJSM/ONMBR10150CTLittelfuse Inc.DIODE SCHOTTKY 150V 5A TO220ABMBR10150CTF-G1Diodes IncorporatedDIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO220FMBR10150CLUTCMBR10150CTDiodes IncorporatedDIODE ARRAY 150V 5A TO220ABMBR10150CTLDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY TO220
MBR10150CT-GSensirionMBR10150CL-TA3-TUTC
MBR10150CTTaiwan Semiconductor CorporationDIODE SCHOTTKY 150V 10A TO220AB| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที