ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBR540VSTR-G1
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Diodes Incorporated - MBR540VSTR-G1 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Diodes Incorporated - MBR540VSTR-G1
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Diodes Incorporated | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 550 mV @ 5 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 40 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SMB | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AA, SMB | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 µA @ 40 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 5A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Diodes Incorporated MBR540VSTR-G1
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBR540VSTR-G1 | MBR5200VPBTR-E1 | MBR5H100MFST1G | MBR5H150VPTR-E1 |
| ผู้ผลิต | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | onsemi | Diodes Incorporated |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 µA @ 40 V | 500 µA @ 200 V | 100 µA @ 100 V | 8 µA @ 150 V |
| ชุด | - | - | SWITCHMODE™ | - |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount | Through Hole |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 550 mV @ 5 A | 950 mV @ 5 A | 730 mV @ 5 A | 920 mV @ 5 A |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SMB | DO-201 | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | DO-201 |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 40 V | 200 V | 100 V | 150 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AA, SMB | DO-201AA, DO-27, Axial | 8-PowerTDFN, 5 Leads | DO-201AA, DO-27, Axial |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 5A | 5A | 5A | 5A |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -55°C ~ 175°C | 175°C (Max) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) | Tape & Box (TB) |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBR540VSTR-G1 PDF และเอกสาร Diodes Incorporated สำหรับ MBR540VSTR-G1 - Diodes Incorporated
MBR5200VPBTR-E1Diodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 200V 5A DO201MBR540MFSAMI Semiconductor/onsemi
MBR545Taiwan SemiconductorMBR5H100MFST1GonsemiDIODE SCHOTTKY 100V 5A 5DFNMBR5H100MFSAMI Semiconductor/onsemi
MBR5200BLMBR560PANJITMBR5H150VPTR-E1Diodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 150V 5A DO201MBR5200VPTR-E1Diodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 200V 5A DO201MBR560MFST1GonsemiDIODE SCHOTTKY 60V 5A 5DFNMBR5200_AY_10001PANJITMBR5H150VPC-E1Diodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 150V 5A DO201MBR5150PANJITMBR5H200SSPANJIT
MBR5200VPC-E1Diodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 200V 5A DO27MBR5150_AY_10001PANJITMBR580PANJITMBR5200ANGFIRST| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? [AddToCartTip]未找到翻译