ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี S12M15600B
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Diodes Incorporated - S12M15600B คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Diodes Incorporated - S12M15600B
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Diodes Incorporated | |
| แรงดันไฟฟ้า - วันที่ของรัฐ (Vtm) (สูงสุด) | 2.2 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ปิดเครื่อง | 600 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - กระตุ้นเกท (Vgt) (สูงสุด) | 1 V | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AB | |
| ชุด | - | |
| ประเภท SCR | Sensitive Gate | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 Full Pack | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 125°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - วันที่ของรัฐ (มัน (RMS)) (สูงสุด) | 12 A | |
| ปัจจุบันเปิด - ปิดของรัฐ (สูงสุด) | 10 µA | |
| ปัจจุบัน -. องค์กรไม่แสวงหาตัวแทน Surge 50, 60Hz (ITSM) | 120A, 125A | |
| ปัจจุบัน - ถือ (Ih) (สูงสุด) | 40 mA | |
| ปัจจุบัน - กระตุ้นเกท (Igt) (สูงสุด) | 15 mA | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | S12M15600 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Diodes Incorporated S12M15600B
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | S12M15600B | S12B-ZR-SM4A-TF | S12ME1 | S12B-XH-A-1 |
| ผู้ผลิต | Diodes Incorporated | JST | Sharp Microelectronics | JST |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | S12M15600 | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - กระตุ้นเกท (Vgt) (สูงสุด) | 1 V | - | - | - |
| ปัจจุบัน -. องค์กรไม่แสวงหาตัวแทน Surge 50, 60Hz (ITSM) | 120A, 125A | - | - | - |
| ประเภท SCR | Sensitive Gate | - | - | - |
| ปัจจุบัน - วันที่ของรัฐ (มัน (RMS)) (สูงสุด) | 12 A | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AB | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ปิดเครื่อง | 600 V | - | - | - |
| ปัจจุบัน - ถือ (Ih) (สูงสุด) | 40 mA | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 Full Pack | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - วันที่ของรัฐ (Vtm) (สูงสุด) | 2.2 V | - | - | - |
| ปัจจุบัน - กระตุ้นเกท (Igt) (สูงสุด) | 15 mA | - | - | - |
| ปัจจุบันเปิด - ปิดของรัฐ (สูงสุด) | 10 µA | - | - | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 125°C (TJ) | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล S12M15600B PDF และเอกสาร Diodes Incorporated สำหรับ S12M15600B - Diodes Incorporated
S12B-ZR-SM4A-TFJSTS12ME1Sharp MicroelectronicsS12B-XH-A-1JSTS12ME1IYSharp MicroelectronicsS12B-PUDSS-1LFSNJSTS12B-PH-SM3-TB(LF)JSTS12MD3Sharp MicroelectronicsOPTOISOLATOR 1.5KV SCR 8DIPS12B-PH-SM4-TBJSTS12B-XH-AJSTS12MD22Sharp Microelectronics
S12ME1FYSharp MicroelectronicsOPTOISOLATOR 4KV SCR 6DIPS12B-PUDSS-1JSTS12B-XADSS-NJST Sales America Inc.CONN HEADER R/A 12POS 2.5MMS12MD1VSharp Microelectronics
S12M15-600BLITEONS12B-PH-SM4-TBLFSNJST
S12C6FSANREXS12MELSharp Microelectronics| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที