ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี S1D-13-F
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Diodes Incorporated - S1D-13-F คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Diodes Incorporated - S1D-13-F
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Diodes Incorporated | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 1 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SMA | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 3 µs |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AC, SMA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | S1D |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Diodes Incorporated S1D-13-F
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | S1D-13-F | S1D-M3/61T | S1D-E3/5AT | S1D-E3/61T |
| ผู้ผลิต | Diodes Incorporated | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 3 µs | 1.8 µs | 1.8 µs | 1.8 µs |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 1 A | 1.1 V @ 1 A | 1.1 V @ 1 A | 1.1 V @ 1 A |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 200 V | 1 µA @ 200 V | 1 µA @ 200 V | 1 µA @ 200 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SMA | DO-214AC (SMA) | DO-214AC (SMA) | DO-214AC (SMA) |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | 200 V | 200 V | 200 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | S1D | S1D | S1D | S1D |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| ชุด | - | - | - | - |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz | 12pF @ 4V, 1MHz | 12pF @ 4V, 1MHz | 12pF @ 4V, 1MHz |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | 1A | 1A | 1A |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล S1D-13-F PDF และเอกสาร Diodes Incorporated สำหรับ S1D-13-F - Diodes Incorporated
S1D13305F00A1EpsonS1D-M3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
S1D-13-F(S1D)JXND/VISHAYMASS1D-E3/5ATVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 1A DO214ACS1D-E3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
S1D-6605-G11Electro-Films (EFI) / VishayS1D13305F00AEpsonS1D-13Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 200V 1A SMAS1D12708F00B100EpsonS1D10605D00B000EpsonS1D10605T00100AEpsonS1D12708F00A1EpsonS1D-6600/11TElectro-Films (EFI) / VishayS1D13305F00A100EpsonS1D10607D04B000SEIKOS1D-E3/61Electro-Films (EFI) / VishayS1D/61TElectro-Films (EFI) / VishayS1D12303D16B000Epson| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที