Name: Diodes Incorporated ZXMN3G32DN8TA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN3G32DN8TA

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

รายการในสต็อคสามารถจัดส่งได้ภายใน 24 ชั่วโมงบางส่วนจะถูกจัดส่งภายใน 1-2 วันนับจากวันที่รายการทั้งหมดมาถึงคลังสินค้าของเราและเรือ Allelco สั่งซื้อวันละครั้งเวลาประมาณ 17:00 น. ยกเว้นวันอาทิตย์เมื่อสินค้าถูกจัดส่งเวลาส่งมอบโดยประมาณขึ้นอยู่กับวิธีการจัดส่งและปลายทางการจัดส่งตารางด้านล่างแสดงให้เห็นว่าเป็นเวลาโลจิสติกสำหรับบางประเทศทั่วไป

ค่าจัดส่ง

ใช้บัญชีด่วนของคุณสำหรับการจัดส่งหากคุณมี
ใช้บัญชีของเราสำหรับการจัดส่งอ้างถึงตารางด้านล่างสำหรับค่าใช้จ่ายโดยประมาณ

(กรอบเวลา / ประเทศ / ขนาดแพ็คเกจที่แตกต่างกันมีราคาแตกต่างกัน)

วิธีการจัดส่ง

การจัดส่งทั่วไปทั่วโลกโดย DHL / UPS / FedEx / TNT / EMS / SF เราสนับสนุน
วิธีการจัดส่งอื่น ๆ เพิ่มเติมโปรดติดต่อกับผู้จัดการลูกค้าของคุณ

การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป
ภูมิภาค	ประเทศ	เวลาโลจิสติก (วัน)
อเมริกา	สหรัฐ	5
อเมริกา	บราซิล	7
ยุโรป	ประเทศเยอรมนี	5
	ประเทศอังกฤษ	4
	อิตาลี	5
มหาสมุทร	ออสเตรเลีย	6
มหาสมุทร	นิวซีแลนด์	5
เอเชีย	อินเดีย	4
เอเชีย	ประเทศญี่ปุ่น	4
ตะวันออกกลาง	ประเทศอิสราเอล	6

อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx
ค่าจัดส่ง (กก.)	DHL อ้างอิง (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

บันทึก:: ตารางด้านบนมีไว้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้นอาจมีอคติข้อมูลบางอย่างสำหรับปัจจัยที่ไม่สามารถควบคุมได้
ติดต่อเราหากคุณมีคำถามใด ๆ

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
ผู้ผลิต	Diodes Incorporated
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id	3V @ 250µA
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	8-SO
ชุด	-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs	28mOhm @ 6A, 10V
เพาเวอร์ - แม็กซ์	1.8W
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
บรรจุุภัณฑ์	Tape & Reel (TR)

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds	472pF @ 15V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	10.5nC @ 10V
คุณสมบัติ FET	Logic Level Gate
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)	30V
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส	5.5A
องค์ประกอบ	2 N-Channel (Dual)
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	ZXMN3

คุณสมบัติสินค้า
รุ่นผลิตภัณฑ์	ZXMN3G32DN8TA	ZXMN3F31DN8TA	ZXMN3F31DN8TC	ZXMN3F30FH-7
ผู้ผลิต	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	VBSEMI	Diodes Incorporated
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount	Surface Mount	-	-
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds	472pF @ 15V	608pF @ 15V	-	-
บรรจุุภัณฑ์	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	-	-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs	28mOhm @ 6A, 10V	24mOhm @ 7A, 10V	-	-
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	-	-
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)	30V	30V	-	-
เพาเวอร์ - แม็กซ์	1.8W	1.8W	-	-
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	-	-
องค์ประกอบ	2 N-Channel (Dual)	2 N-Channel (Dual)	-	-
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id	3V @ 250µA	3V @ 250µA	-	-
คุณสมบัติ FET	Logic Level Gate	Logic Level Gate	-	-
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	ZXMN3	ZXMN3	-	-
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส	5.5A	5.7A	-	-
ชุด	-	-	-	-
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	8-SO	8-SO	-	-
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	10.5nC @ 10V	12.9nC @ 10V	-	-

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการ

ZXMN3G32DN8TA - Diodes Incorporated

ขนาด

ชิ้นส่วนที่มีขนาดคล้ายกัน

ZXMN3G32DN8TA Datasheet PDF

สิ้นค้าที่ลูกค้าคนอื่นสนใจ

สินค้าแนะนำ

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

ค่าจัดส่ง

วิธีการจัดส่ง

สนับสนุนการชำระ

คู่ค้าด้านโซ่อุปทานที่ซื่อสัตย์ของคุณ -

หากพบปัญหาใด ๆ โปรดติดต่อเรา

การรับรองและการเป็นสมาชิค

ZXMN3G32DN8TA

ตะกร้าสินค้า (0 Items)

เปรียบเทียบรายการ (0 Items)

ข้อเสนอแนะ

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการกลับ

ZXMN3G32DN8TA - Diodes Incorporated

ขนาด

ชิ้นส่วนที่มีขนาดคล้ายกัน

ZXMN3G32DN8TA Datasheet PDF

สิ้นค้าที่ลูกค้าคนอื่นสนใจ

สินค้าแนะนำ

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

ค่าจัดส่ง

วิธีการจัดส่ง

สนับสนุนการชำระ

คู่ค้าด้านโซ่อุปทานที่ซื่อสัตย์ของคุณ -

หากพบปัญหาใด ๆ โปรดติดต่อเรา

การรับรองและการเป็นสมาชิค

ZXMN3G32DN8TA

ตะกร้าสินค้า (0 Items)

เปรียบเทียบรายการ (0 Items)

ข้อเสนอแนะ

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการ