ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N4150
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Diotec Semiconductor - 1N4150 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Diotec Semiconductor - 1N4150
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Diotec Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 200 mA | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 50 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-35 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AH, DO-35, Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -50°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 nA @ 50 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 300mA | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Diotec Semiconductor 1N4150
| คุณสมบัติสินค้า | |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N4150 | 1N4150TR | 1N4151 | 1N4150-1 |
| ผู้ผลิต | Diotec Semiconductor | onsemi | Diotec Semiconductor | Microchip Technology |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 ns | 6 ns | 4 ns | 4 ns |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 200 mA | 1 V @ 200 mA | 1 V @ 50 mA | 1 V @ 200 mA |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 50 V | 50 V | 50 V | 50 V |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-35 | DO-35 | DO-35 | DO-35 |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 nA @ 50 V | 100 nA @ 50 V | 50 nA @ 50 V | 100 nA @ 50 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 300mA | 200mA | 200mA | 200mA |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | Tape & Reel (TR) | Box | Bulk |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -50°C ~ 175°C | 175°C (Max) | -50°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz | 2.5pF @ 0V, 1MHz | 4pF @ 0V, 1MHz | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ชุด | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N4150 PDF และเอกสาร Diotec Semiconductor สำหรับ 1N4150 - Diotec Semiconductor
1N4150TRonsemiDIODE GEN PURP 50V 200MA DO351N4151Diotec SemiconductorDIODE GEN PURP 50V 200MA DO351N4148W_R1_00101PANJIT1N4150-1Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
1N4148X-TPMicro Commercial CoDIODE GEN PURP 75V 150MA SOD5231N4148W_R1_000A7PANJIT1N4148W_R1_00101-PECPANJIT
1N4151Fairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 75V 150MA DO351N4149TAFairchild (onsemi)1N4150WMSV1N4150TRFairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
1N4150UR-1Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA1N4150Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
1N414W-7-06-FDiodes Incorporated1N4150NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 50V 200MA DO351N4150onsemiDIODE GEN PURP 50V 200MA DO351N4151onsemiDIODE GEN PURP 75V 150MA DO35
1N4150TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 50V 300MA DO35| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที