ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N5406
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Diotec Semiconductor - 1N5406 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Diotec Semiconductor - 1N5406
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Diotec Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 3 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO15/DO204AC | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 1.5 µs |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AC, DO-15, Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -50°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Diotec Semiconductor 1N5406
| คุณสมบัติสินค้า | |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N5406 | 1N5406 | 1N5406 | 1N5406G |
| ผู้ผลิต | Diotec Semiconductor | onsemi | NTE Electronics, Inc | onsemi |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | 30pF @ 4V, 1MHz | 30pF @ 4V, 1MHz | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | 3A | 3A | 3A |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 3 A | 1.2 V @ 3 A | 1.2 V @ 3 A | 1 V @ 3 A |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -50°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AC, DO-15, Axial | DO-201AD, Axial | DO-201AD, Axial | DO-201AA, DO-27, Axial |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 600 V | 5 µA @ 600 V | 5 µA @ 600 V | 10 µA @ 600 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bag | Bulk |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 1.5 µs | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO15/DO204AC | DO-201AD | DO-201AD | Axial |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N5406 PDF และเอกสาร Diotec Semiconductor สำหรับ 1N5406 - Diotec Semiconductor
1N5406onsemiDIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD1N5406NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD1N5406GonsemiDIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL
1N5406Fairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 1V 3A DO151N5404RLGonsemiDIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL1N5404RLonsemiDIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL
1N5406C6-5Electro-Films (EFI) / Vishay
1N5406GSMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
1N5406-TDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
1N5404GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
1N5406SMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD1N5404GSMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
1N5406-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD1N5406GYangjie TechnologyDO-201AD 600V 3A Diodes Rectif1N5406-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD1N5406BRLGAMI Semiconductor/onsemi1N5406GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD1N5404GonsemiDIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที