ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี EGL34A
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Diotec Semiconductor - EGL34A คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Diotec Semiconductor - EGL34A
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Diotec Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.25 V @ 500 mA | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 50 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-213AA, MINI-MELF | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 50 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-213AA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -50°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 50 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 500mA | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Diotec Semiconductor EGL34A
| คุณสมบัติสินค้า | |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | EGL34A | EGL34GHE3/98 | EGL34D | EGL34G-E3/98 |
| ผู้ผลิต | Diotec Semiconductor | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Diotec Semiconductor | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 50 ns | 50 ns | 50 ns | 50 ns |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 50 V | 400 V | 200 V | 400 V |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 50 V | 5 µA @ 400 V | 5 µA @ 200 V | 5 µA @ 400 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-213AA, MINI-MELF | DO-213AA (GL34) | DO-213AA, MINI-MELF | DO-213AA (GL34) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.25 V @ 500 mA | 1.35 V @ 500 mA | 1.25 V @ 500 mA | 1.35 V @ 500 mA |
| ชุด | - | SUPERECTIFIER® | - | SUPERECTIFIER® |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 500mA | 500mA | 500mA | 500mA |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -50°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -50°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-213AA | DO-213AA (Glass) | DO-213AA | DO-213AA (Glass) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | 7pF @ 4V, 1MHz |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล EGL34A PDF และเอกสาร Diotec Semiconductor สำหรับ EGL34A - Diotec Semiconductor
EGL41B-11GSEGL16-02FUJIIGBT Module
EGL34G-E3/82Electro-Films (EFI) / VishayEGL34GHE3/98Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GP 400V 500MA DO213AAEGL41B-5400GSEGL41AGSEGL34DDiotec SemiconductorDIODE SFR DO-213AA 200V 0.5A
EGL16-04Fujitsu Electronics America, Inc.IGBT ModuleEGL41BGSI TechnologyEGL16-16FUJIIGBT ModuleEGL34G-E3/98Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GP 400V 500MA DO213AAEGL16-06Fujitsu Electronics America, Inc.IGBT ModuleEGL41CGSEGL34DHE3_A/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GP 200V 500MA DO213AAEGL34G-E3/83Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GP 400V 500MA DO213AAEGL16-10FUJIIGBT ModuleEGL41B-E3/96Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 100V 1A DO213ABEGL41A/46Electro-Films (EFI) / Vishay| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที