ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี EG01CV0
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Sanken Electric USA Inc. - EG01CV0 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Sanken Electric USA Inc. - EG01CV0
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Sanken Electric USA Inc. | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 3.3 V @ 500 mA | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1000 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | - | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 100 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Box (TB) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -40°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 µA @ 1000 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 500mA | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | EG01 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Sanken Electric USA Inc. EG01CV0
| คุณสมบัติสินค้า | |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | EG01CV0 | 1N5821 | MBRA340T3 | SBR140S3-7 |
| ผู้ผลิต | Sanken Electric USA Inc. | onsemi | onsemi | Diodes Incorporated |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | 190pF @ 4V, 1MHz | - | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 µA @ 1000 V | 500 µA @ 30 V | 300 µA @ 40 V | 30 µA @ 40 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | - | DO-201AD | SMA | SOD-323 |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1000 V | 30 V | 40 V | 40 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 3.3 V @ 500 mA | 500 mV @ 3 A | 450 mV @ 3 A | 490 mV @ 1 A |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 500mA | 3A | 3A | 1A |
| เทคโนโลยี | Standard | Schottky | Schottky | Super Barrier |
| ชุด | - | - | - | SBR® |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | EG01 | 1N5821 | MBRA340 | - |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 100 ns | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -40°C ~ 150°C | -65°C ~ 125°C | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Box (TB) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Axial | DO-201AD, Axial | DO-214AC, SMA | SC-76, SOD-323 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล EG01CV0 PDF และเอกสาร Sanken Electric USA Inc. สำหรับ EG01CV0 - Sanken Electric USA Inc.
1N5821onsemiDIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201ADMBRA340T3onsemiDIODE SCHOTTKY 40V 3A SMASBR140S3-7Diodes IncorporatedDIODE SBR 40V 1A SOD323
STTA506DSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC
BYV26E-TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVALANCHE 1KV 1A SOD57LL103CDiotec SemiconductorSCHOTTKY SOD-80 20V 0.35AEG02-0603QRC/EEVERGUANG
MBR745Diodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 45V 7.5A TO220AC
UES706HR2Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 400V 20A DO4
FDH333Fairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
FS1G-LTPMicro Commercial CoDIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC1N3881RMicrochip TechnologyFAST RECOVERY RECTIFIER
EG01C-V0-RPSanken Electric Co., Ltd.
MUR8100EonsemiDIODE GEN PURP 1KV 8A TO220-2EG01YVN/A
MURF8L60Taiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 600V 8A ITO220ACISL9R1560PF2onsemiDIODE GEN PURP 600V 15A TO220F
S2AA-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 50V 1.5A SMA| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที