ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี BYV26E
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ EIC SEMICONDUCTOR INC. - BYV26E คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ EIC SEMICONDUCTOR INC. - BYV26E
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | EIC Semiconductor, Inc. | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 2.5 V @ 1 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1000 V | |
| เทคโนโลยี | Avalanche | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-41 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 75 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AL, DO-41, Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bag | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 1000 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ EIC SEMICONDUCTOR INC. BYV26E
| คุณสมบัติสินค้า | |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | BYV26E | BYV26D-TR | BYV26C-TAP | BYV26EGP-E3/73 |
| ผู้ผลิต | EIC SEMICONDUCTOR INC. | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | 15pF @ 4V, 1MHz |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 2.5 V @ 1 A | 2.5 V @ 1 A | 2.5 V @ 1 A | 2.5 V @ 1 A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-41 | SOD-57 | SOD-57 | DO-204AC (DO-15) |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 75 ns | 75 ns | 30 ns | 75 ns |
| ชุด | - | - | - | SUPERECTIFIER® |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | 1A | 1A | 1A |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AL, DO-41, Axial | SOD-57, Axial | SOD-57, Axial | DO-204AC, DO-15, Axial |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bag | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) | Cut Tape (CT) |
| เทคโนโลยี | Avalanche | Avalanche | Avalanche | Avalanche |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1000 V | 800 V | 600 V | 1000 V |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 1000 V | 5 µA @ 800 V | 5 µA @ 600 V | 5 µA @ 1000 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล BYV26E PDF และเอกสาร EIC SEMICONDUCTOR INC. สำหรับ BYV26E - EIC SEMICONDUCTOR INC.
BYV26DMicrel / Microchip Technology
BYV26EGPElectro-Films (EFI) / VishayBYV26EAMPFAGORBYV26CGPGULFSEMIBYV26D-TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVALANCHE 800V 1A SOD57BYV26C-TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVALANCHE 600V 1A SOD57BYV26E-E3/73Electro-Films (EFI) / Vishay
BYV27-100LUMILEDSBYV26C-E3/73Electro-Films (EFI) / VishayBYV26EGP-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVALANCHE 1KV 1A DO204ACBYV26DGPElectro-Films (EFI) / VishayBYV26E-TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVALANCHE 1KV 1A SOD57BYV26EGP-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1KV 1A DO204ACBYV26D-TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVALANCHE 800V 1A SOD57BYV26GLUMILEDSBYV26C-TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVALANCHE 600V 1A SOD57BYV26FLUMILEDSBYV26C AMPFAGOR| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที