ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MR256A08BCMA35R
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Everspin Technologies Inc. - MR256A08BCMA35R คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Everspin Technologies Inc. - MR256A08BCMA35R
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | EverSpin Technologies, Inc. | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 35ns | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 3V ~ 3.6V | |
| เทคโนโลยี | MRAM (Magnetoresistive RAM) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 48-FBGA (8x8) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 48-LFBGA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 256Kbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 32K x 8 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | RAM | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MR256A08 | |
| เวลาในการเข้าถึง | 35 ns |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Everspin Technologies Inc. MR256A08BCMA35R
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MR256A08BCMA35R | MR25H10CDC | MR256D08BMA45 | MR25H10CDFR |
| ผู้ผลิต | Everspin Technologies Inc. | Everspin Technologies Inc. | Everspin Technologies Inc. | Everspin Technologies Inc. |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 3V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V | 3V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V |
| ชุด | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 48-FBGA (8x8) | 8-DFN-EP, Large Flag (5x6) | 48-FBGA (8x8) | 8-DFN-EP, Small Flag (5x6) |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | SPI | Parallel | SPI |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile |
| ขนาดหน่วยความจำ | 256Kbit | 1Mbit | 256Kbit | 1Mbit |
| เทคโนโลยี | MRAM (Magnetoresistive RAM) | MRAM (Magnetoresistive RAM) | MRAM (Magnetoresistive RAM) | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 35ns | - | 45ns | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| องค์กรหน่วยความจำ | 32K x 8 | 128K x 8 | 32K x 8 | 128K x 8 |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | 0°C ~ 70°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tray | Tray | Tape & Reel (TR) |
| รูปแบบหน่วยความจำ | RAM | RAM | RAM | RAM |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MR256A08 | MR25H10 | MR256D08 | MR25H10 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 48-LFBGA | 8-VDFN Exposed Pad | 48-LFBGA | 8-VDFN Exposed Pad |
| เวลาในการเข้าถึง | 35 ns | - | 45 ns | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MR256A08BCMA35R PDF และเอกสาร Everspin Technologies Inc. สำหรับ MR256A08BCMA35R - Everspin Technologies Inc.
MR2540SHINDENGE
MR2535LonsemiTVS DIODE 20VWM MICRODE BUTTON
MR2502onsemiDIODE GP 200V 25A MICRODE BUTTONMR2504onsemiDIODE GP 400V 25A MICRODE BUTTONMR25H10CDCEverspin Technologies Inc.IC RAM 1MBIT SPI 40MHZ 8DFNMR256A08BS035EVERSPIHMR2535LRLGonsemiTVS DIODE 20VWM MICRODE BUTTONMR256D08BMA45Everspin Technologies Inc.IC RAM 256KBIT PARALLEL 48FBGAMR25H10CDFREverspin Technologies Inc.IC RAM 1MBIT SPI 40MHZ 8DFNMR25H10CDFEverspin Technologies Inc.IC RAM 1MBIT SPI 40MHZ 8DFN
MR25H128ACDFEverspin Technologies Inc.IC RAM 128KBIT SPI 40MHZ 8DFNMR25H10BDCN/A
MR25H256ACDFEverspin Technologies Inc.IC RAM 256KBIT SPI 40MHZ 8DFNMR25H16CDCN/AMR256D08BMA45REverspin Technologies Inc.IC RAM 256KBIT PARALLEL 48FBGAMR2504EIC SEMICONDUCTOR INC.DIODE GEN PURP 400V 25A MRMR2535SMOTOROLAIGBT Module
MR2520AMI Semiconductor/onsemi| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที