ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N4936
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Fairchild Semiconductor - 1N4936 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Fairchild Semiconductor - 1N4936
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Fairchild (onsemi) | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 1 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 400 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Axial | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 300 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AL, DO-41, Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 400 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Fairchild Semiconductor 1N4936
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N4936 | 1N4935RLG | 1N4935GP | 1N4936G |
| ผู้ผลิต | Fairchild Semiconductor | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 300 ns | 300 ns | 150 ns | 300 ns |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | 1A | 1A | 1A |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 1 A | 1.2 V @ 1 A | 1.2 V @ 1 A | 1.2 V @ 1 A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | 12pF @ 4V, 1MHz | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 400 V | 200 V | 200 V | 400 V |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 400 V | 5 µA @ 200 V | 5 µA @ 200 V | 5 µA @ 400 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -50°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Axial | Axial | DO-204AL (DO-41) | Axial |
| ชุด | - | - | - | - |
1N4935RLGonsemiDIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL1N4935GPFairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL1N4936GonsemiDIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL1N4936onsemiDIODE GEN PURP 400V 1A DO411N4937onsemiDIODE GEN PURP 600V 1A DO41
1N4936GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL1N4936-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL1N4935GPonsemiDIODE GEN PURP 200V 1A DO411N4936RLGonsemiDIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL1N4935-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL1N4936GPHE3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
1N4936-TDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 400V 1A DO411N4937Fairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL1N4935-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL1N4935RLonsemiDIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL1N4936Diotec SemiconductorDIODE FR DO-41 400V 1A1N4935-TDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 200V 1A DO411N4937Diotec SemiconductorDIODE FR DO-41 600V 1A| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที