ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N916B
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Fairchild Semiconductor - 1N916B คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Fairchild Semiconductor - 1N916B
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Fairchild (onsemi) | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 20 mA | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-35 (DO-204AH) | |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AH, DO-35, Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 75 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 200mA | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Fairchild Semiconductor 1N916B
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N916B | 1N914TR | 1N914BWS | 1N916B |
| ผู้ผลิต | Fairchild Semiconductor | onsemi | Taiwan Semiconductor Corporation | onsemi |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 75 V | 5 µA @ 75 V | 5 µA @ 75 V | 5 µA @ 75 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 200mA | 200mA | 150mA | 200mA |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| ชุด | - | - | - | - |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 ns | 4 ns | 4 ns | 4 ns |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | SC-90, SOD-323F | DO-204AH, DO-35, Axial |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz | 4pF @ 0V, 1MHz | 4pF @ 0V, 1MHz | 2pF @ 0V, 1MHz |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-35 (DO-204AH) | DO-35 | SOD-323F | DO-35 |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 20 mA | 1 V @ 10 mA | 1 V @ 100 mA | 1 V @ 20 mA |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -65°C ~ 150°C | -55°C ~ 175°C |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Through Hole |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V |
1N914TRonsemiDIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
1N961BRLAMI Semiconductor/onsemi
1N960B/TRMicrochip TechnologyVOLTAGE REGULATOR
1N938BMicrochip TechnologyDIODE ZENER 9V 500MW DO351N914BWSTaiwan Semiconductor CorporationSOD-323F, 100V, 0.15A, SWITCHING1N916BonsemiDIODE GEN PURP 100V 200MA DO351N939BNJS
1N914BWSFairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323F1N944BMicrochip TechnologyZENER DIODE1N914BWSDKR-NDFAIRCHI1N964BRLAMI Semiconductor/onsemi1N914BWSonsemiDIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323F1N962BRLAMI Semiconductor/onsemi1N914BWTonsemiDIODE GEN PURP 75V 200MA SOD523F1N945BMicrochip TechnologyDIODE ZENER 11.7V 500MW DO351N914BWTFairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 75V 200MA SOD523F
1N914TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 75V 200MA DO351N914TRFairchild SemiconductorRECTIFIER DIODE, 0.2A, 100V, DO-| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที