ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FCH170N60
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Fairchild Semiconductor - FCH170N60 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Fairchild Semiconductor - FCH170N60
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3.5V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247 | |
| ชุด | SuperFET® II | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 11A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 227W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2860 pF @ 380 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 55 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 600 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 22A (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Fairchild Semiconductor FCH170N60
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FCH170N60 | FCH165N60E | FCH150N65F-F155 | FCH165N65S3R0-F155 |
| ผู้ผลิต | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | onsemi |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 227W (Tc) | 227W (Tc) | 298W (Tc) | 154W (Tc) |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 11A, 10V | 165mOhm @ 11.5A, 10V | 150mOhm @ 12A, 10V | 165mOhm @ 9.5A, 10V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tube | Tube | Tube |
| ชุด | SuperFET® II | SuperFET® II | SuperFET® II | SuperFET® III |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2860 pF @ 380 V | 2434 pF @ 380 V | 3737 pF @ 100 V | 1500 pF @ 400 V |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±30V |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3.5V @ 250µA | 3.5V @ 250µA | 5V @ 2.4mA | 4.5V @ 1.9mA |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 55 nC @ 10 V | 75 nC @ 10 V | 94 nC @ 10 V | 39 nC @ 10 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 600 V | 600 V | 650 V | 650 V |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 22A (Tc) | 23A (Tc) | 24A (Tc) | 19A (Tc) |
FCH16P10QNIECFCH165N60EonsemiMOSFET N-CH 600V 23A TO247-3FCH20A12SHINFCH20A10NIECFCH150N65F-F155onsemiMOSFET N-CH 650V 24A TO247FCH165N65S3R0-155AMI Semiconductor/onsemiFCH150N65F_F155AMI Semiconductor/onsemiFCH165N65S3R0-F155onsemiMOSFET N-CH 650V 19A TO247-3FCH2012F-1RONTAI-TECH
FCH190N65FF155Fairchild (onsemi)FCH20A04NIECFCH190N65F-F155onsemiMOSFET N-CH 650V 20.6A TO247FCH150N65FFairchild (onsemi)FCH20A06NIECFCH190N65FAMI Semiconductor/onsemiFCH130N60Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 600V 28A TO247-3FCH150N65F-F155Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, NFCH170N60onsemiMOSFET N-CH 600V 22A TO247-3| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที