ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FDB8030L
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Fairchild Semiconductor - FDB8030L คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Fairchild Semiconductor - FDB8030L
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Fairchild (onsemi) | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-263AB | |
ชุด | PowerTrench® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 80A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 187W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
บรรจุุภัณฑ์ | Bulk |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 175°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 10500 pF @ 15 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 170 nC @ 5 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 80A (Ta) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDB803 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Fairchild Semiconductor FDB8030L
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | FDB8030L | FDB8132_F085 | FDB7030L | FDB8030L |
ผู้ผลิต | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | onsemi |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 80A, 10V | 1.6mOhm @ 80A, 10V | 7mOhm @ 40A, 10V | 3.5mOhm @ 80A, 10V |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ชุด | PowerTrench® | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 80A (Ta) | 80A (Tc) | 80A (Ta) | 80A (Ta) |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDB803 | FDB813 | FDB703 | FDB803 |
อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -65°C ~ 175°C (TJ) | -65°C ~ 175°C (TJ) |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 170 nC @ 5 V | 350 nC @ 13 V | 33 nC @ 5 V | 170 nC @ 5 V |
บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 10500 pF @ 15 V | 14100 pF @ 15 V | 2440 pF @ 15 V | 10500 pF @ 15 V |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-263AB | D²PAK (TO-263) | D²PAK (TO-263) | D²PAK (TO-263) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2V @ 250µA | 4V @ 250µA | 3V @ 250µA | 2V @ 250µA |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 187W (Tc) | 341W (Tc) | 68W (Tc) | 187W (Tc) |
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? [AddToCartTip]未找到翻译