ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FDD3580
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Fairchild Semiconductor - FDD3580 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Fairchild Semiconductor - FDD3580
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Fairchild (onsemi) | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-252, (D-Pak) | |
ชุด | PowerTrench® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 7.7A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 3.8W (Ta), 42W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Bulk |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1760 pF @ 40 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 49 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 80 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 7.7A (Ta) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Fairchild Semiconductor FDD3580
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | FDD3580 | FDD3580 | FDD306P | FDD3570 |
ผู้ผลิต | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 80 V | 80 V | 12 V | 80 V |
บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-252, (D-Pak) | TO-252AA | TO-252AA | TO-252, (D-Pak) |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | P-Channel | N-Channel |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 7.7A (Ta) | 7.7A (Ta) | 6.7A (Ta) | 10A (Ta) |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 3.8W (Ta), 42W (Tc) | 3.8W (Ta), 42W (Tc) | 52W (Ta) | 3.4W (Ta), 69W (Tc) |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 7.7A, 10V | 29mOhm @ 7.7A, 10V | 28mOhm @ 6.7A, 4.5V | 20mOhm @ 10A, 10V |
ชุด | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±8V | ±20V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 49 nC @ 10 V | 49 nC @ 10 V | 21 nC @ 4.5 V | 76 nC @ 10 V |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | 6V, 10V | 1.8V, 4.5V | 6V, 10V |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1760 pF @ 40 V | 1760 pF @ 40 V | 1290 pF @ 6 V | 2800 pF @ 40 V |
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที