ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FDD5N50UTM
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Fairchild Semiconductor - FDD5N50UTM คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Fairchild Semiconductor - FDD5N50UTM
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | - | |
| Vgs (สูงสุด) | - | |
| เทคโนโลยี | - | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | - | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | - | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | - | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | - | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | - | |
| ประเภท FET | - | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | - | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | - | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Fairchild Semiconductor FDD5N50UTM
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FDD5N50UTM | FDD6030L | FDD5N60NZTM | FDD5N50FTM |
| ผู้ผลิต | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | - | 1230 pF @ 15 V | 600 pF @ 25 V | 650 pF @ 25 V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | - | 28 nC @ 5 V | 13 nC @ 10 V | 15 nC @ 10 V |
| ประเภท FET | - | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | - | TO-252AA | TO-252AA | TO-252, (D-Pak) |
| เทคโนโลยี | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | - | 3V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | - | 3.2W (Ta), 56W (Tc) | 83W (Tc) | 40W (Tc) |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | - | 12A (Ta), 50A (Tc) | 4A (Tc) | 3.5A (Tc) |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | - | 4.5V, 10V | 10V | 10V |
| Vgs (สูงสุด) | - | ±20V | ±25V | ±30V |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | - | 14.5mOhm @ 12A, 10V | 2Ohm @ 2A, 10V | 1.55Ohm @ 1.75A, 10V |
| ประเภทการติดตั้ง | - | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| อุณหภูมิในการทำงาน | - | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | - | 30 V | 600 V | 500 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | - | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
FDD6030LonsemiMOSFET N-CH 30V 12A/50A DPAKFDD5N60NZTMonsemiMOSFET N-CH 600V 4A DPAKFDD5N50FTMFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETFDD5N50NZFFairchild (onsemi)FDD5N50NZFairchild (onsemi)FDD6030L MOSFairchild (onsemi)
FDD5N50FTM-WSONsemiFDD5N50NZFTMonsemiMOSFET N-CH 500V 3.7A DPAKFDD6030BLFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETFDD5N53TMFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETFDD5N50NZTMonsemiMOSFET N-CH 500V 4A DPAKFDD6030LFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5FDD5N60NZFairchild (onsemi)FDD6030AFSCFDD5N50TMFairchild Semiconductor4A, 500V, 1.4OHM, N-CHANNEL POWEFDD5N50UFairchild (onsemi)FDD6030BL MOSFairchild (onsemi)FDD5N50NZFTMFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที