ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FDMA86551L
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Fairchild Semiconductor - FDMA86551L คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Fairchild Semiconductor - FDMA86551L
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Fairchild (onsemi) | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 6-MicroFET (2x2) | |
ชุด | PowerTrench® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 7.5A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 2.4W (Ta) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 6-WDFN Exposed Pad | |
บรรจุุภัณฑ์ | Bulk |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1235 pF @ 30 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 17 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 7.5A (Ta) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Fairchild Semiconductor FDMA86551L
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | FDMA86551L | FDMA86108LZ | FDMA8884 | FDMA8878 |
ผู้ผลิต | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 6-WDFN Exposed Pad | 6-WDFN Exposed Pad | 6-WDFN Exposed Pad | 6-WDFN Exposed Pad |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1235 pF @ 30 V | 163 pF @ 50 V | 450 pF @ 15 V | 720 pF @ 15 V |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 2.4W (Ta) | 2.4W (Ta) | 1.9W (Ta) | 2.4W (Ta) |
บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ชุด | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 7.5A (Ta) | 2.2A (Ta) | 6.5A (Ta), 8A (Tc) | 9A (Ta), 10A (Tc) |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | 100 V | 30 V | 30 V |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 7.5A, 10V | 243mOhm @ 2.2A, 10V | 23mOhm @ 6.5A, 10V | 16mOhm @ 9A, 10V |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 6-MicroFET (2x2) | 6-MicroFET (2x2) | 6-MicroFET (2x2) | 6-MicroFET (2x2) |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 17 nC @ 10 V | 3 nC @ 10 V | 7.5 nC @ 10 V | 12 nC @ 10 V |
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที