ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FDMC8010DC
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Fairchild Semiconductor - FDMC8010DC คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Fairchild Semiconductor - FDMC8010DC
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Fairchild (onsemi) | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-PQFN (3.3x3.3) | |
ชุด | - | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 1.28mOhm @ 37A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 3W (Ta) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-PowerWDFN | |
บรรจุุภัณฑ์ | Bulk |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 7080 pF @ 15 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 94 nC @ 15 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | Standard | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 37A (Ta) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Fairchild Semiconductor FDMC8010DC
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | FDMC8010DC | FDMC8010DC | FDMC8026S | FDMC8010 |
ผู้ผลิต | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | onsemi |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 7080 pF @ 15 V | 7080 pF @ 15 V | 3165 pF @ 15 V | 5860 pF @ 15 V |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-PQFN (3.3x3.3) | 8-PQFN (3.3x3.3) | 8-MLP (3.3x3.3) | Power33 |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 37A (Ta) | 37A (Ta) | 19A (Ta), 21A (Tc) | 30A (Ta), 75A (Tc) |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 3W (Ta) | 3W (Ta) | 2.4W (Ta), 36W (Tc) | 2.4W (Ta), 54W (Tc) |
คุณสมบัติ FET | Standard | Standard | - | - |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 1.28mOhm @ 37A, 10V | 1.28mOhm @ 37A, 10V | 4.4mOhm @ 19A, 10V | 1.3mOhm @ 30A, 10V |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-PowerWDFN | 8-PowerWDFN | 8-PowerWDFN | 8-PowerWDFN |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 1mA | 2.5V @ 1mA |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ชุด | - | - | PowerTrench®, SyncFET™ | PowerTrench® |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 94 nC @ 15 V | 94 nC @ 15 V | 52 nC @ 10 V | 94 nC @ 10 V |
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที