ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FDP33N25
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Fairchild Semiconductor - FDP33N25 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Fairchild Semiconductor - FDP33N25
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Fairchild (onsemi) | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±30V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | |
ชุด | UniFET™ | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 94mOhm @ 16.5A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 235W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Bulk |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2135 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 48 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 250 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 33A (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Fairchild Semiconductor FDP33N25
คุณสมบัติสินค้า | ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | FDP33N25 | FDP3651U | FDP2D3N10C | FDP3205 |
ผู้ผลิต | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 33A (Tc) | 80A (Tc) | 222A (Tc) | 100A (Tc) |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 250µA | 5.5V @ 250µA | 4V @ 700µA | 5.5V @ 250µA |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 48 nC @ 10 V | 69 nC @ 10 V | 152 nC @ 10 V | 120 nC @ 10 V |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2135 pF @ 25 V | 5522 pF @ 25 V | 11180 pF @ 50 V | 7730 pF @ 25 V |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 94mOhm @ 16.5A, 10V | 18mOhm @ 80A, 10V | 2.3mOhm @ 100A, 10V | 7.5mOhm @ 59A, 10V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 235W (Tc) | 255W (Tc) | 214W (Tc) | 150W (Tc) |
บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Tube | Tube |
Vgs (สูงสุด) | ±30V | ±20V | ±20V | ±20V |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ชุด | UniFET™ | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 250 V | 100 V | 100 V | 55 V |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FDP33N25 PDF และเอกสาร Fairchild Semiconductor สำหรับ FDP33N25 - Fairchild Semiconductor
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที