ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FDP39N20
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Fairchild Semiconductor - FDP39N20 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Fairchild Semiconductor - FDP39N20
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±30V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | |
| ชุด | UniFET™ | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 66mOhm @ 19.5A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 251W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2130 pF @ 25 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 49 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 200 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 39A (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Fairchild Semiconductor FDP39N20
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FDP39N20 | FDP42AN15A0 | FDP42AN15A0 | FDP46N30 |
| ผู้ผลิต | Fairchild Semiconductor | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 66mOhm @ 19.5A, 10V | 42mOhm @ 12A, 10V | 42mOhm @ 12A, 10V | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | - |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 49 nC @ 10 V | 39 nC @ 10 V | 39 nC @ 10 V | - |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 251W (Tc) | 150W (Tc) | 150W (Tc) | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tube | Bulk | Bulk |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 39A (Tc) | 5A (Ta), 35A (Tc) | 5A (Ta), 35A (Tc) | - |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2130 pF @ 25 V | 2150 pF @ 25 V | 2150 pF @ 25 V | - |
| Vgs (สูงสุด) | ±30V | ±20V | ±20V | - |
| ชุด | UniFET™ | PowerTrench® | PowerTrench® | * |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | - |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 200 V | 150 V | 150 V | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 6V, 10V | 6V, 10V | - |
FDP42AN15A0onsemiMOSFET N-CH 150V 5A/35A TO220-3FDP39N20 MOSFairchild (onsemi)FDP42AN15A0Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5FDP46N30Fairchild Semiconductor46A, 300V, 0.079OHM, N-CHANNEL MFDP39N20onsemiMOSFET N-CH 200V 39A TO220-3FDP3682onsemiMOSFET N-CH 100V 6A/32A TO220-3FDP3652Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9FDP3672onsemiMOSFET N-CH 105V 5.9A/41A TO220FDP3652 MOSFairchild (onsemi)FDP3682 MOSFairchild (onsemi)FDP42NA15Fairchild (onsemi)FDP42AN15A0 MOSFairchild (onsemi)
FDP4D5N10ConsemiMOSFET N-CH 100V 128A TO220-3FDP3672Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5FDP3651U MOSFairchild (onsemi)FDP3651UFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8FDP3652onsemiMOSFET N-CH 100V 9A/61A TO220-3FDP3672 MOSFairchild (onsemi)| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที