ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FEP16JTA
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Fairchild Semiconductor - FEP16JTA คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Fairchild Semiconductor - FEP16JTA
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Fairchild (onsemi) | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.5 V @ 8 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 50 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Anode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 16A |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Fairchild Semiconductor FEP16JTA
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FEP16JTA | FEP16GT-E3/45 | FEP30BP-E3/45 | FEP16GT |
| ผู้ผลิต | Fairchild Semiconductor | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | onsemi |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 50 ns | 50 ns | 35 ns | 50 ns |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 16A | 16A | 15A | 16A |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-247AD (TO-3P) | TO-220-3 |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.5 V @ 8 A | 1.3 V @ 8 A | 950 mV @ 15 A | 1.3 V @ 8 A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 600 V | 10 µA @ 400 V | 10 µA @ 100 V | 10 µA @ 400 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-220-3 |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Anode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | 400 V | 100 V | 400 V |
FEP16GT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY GP 400V 16A TO220ABFEP30BP-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY GP 100V 30A TO3P
FEP30DPElectro-Films (EFI) / VishayFEP30APElectro-Films (EFI) / VishayFEP16GTonsemiDIODE ARRAY GP 400V 16A TO220ABFEP30BPFEP16HTAonsemiDIODE ARRAY GP 500V 16A TO220ABFEP16HTonsemiDIODE ARRAY GP 500V 16A TO220ABFEP16JTonsemiDIODE ARRAY GP 600V 16A TO220ABFEP30DP-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY GP 200V 30A TO3PFEP16GTDonsemiDIODE ARRAY GP 400V 16A TO220ABFEP16JT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY GP 600V 16A TO220ABFEP30CPElectro-Films (EFI) / VishayFEP16JTDonsemiDIODE ARRAY GP 600V 16A TO220ABFEP16JTAonsemiDIODE ARRAY GP 600V 16A TO220AB
FEP16JTDFairchild SemiconductorRECTIFIER DIODEFEP16GTAonsemiDIODE ARRAY GP 400V 16A TO220ABFEP16HT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY GP 500V 16A TO220AB| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที