ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FFPF04F150STU
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Fairchild Semiconductor - FFPF04F150STU คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Fairchild Semiconductor - FFPF04F150STU
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Fairchild (onsemi) | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.5 V @ 4 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1500 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220F-2L | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 170 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 Full Pack | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 1500 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 4A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Fairchild Semiconductor FFPF04F150STU
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FFPF04F150STU | FFP30S60STU | FFPF04S60STU | FFPF04U150STU |
| ผู้ผลิต | Fairchild Semiconductor | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 Full Pack | TO-220-2 | TO-220-2 Full Pack | TO-220-2 Full Pack |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220F-2L | TO-220-2L | TO-220F-2L | TO-220F-2L |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 170 ns | 40 ns | 25 ns | 150 ns |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 1500 V | 100 µA @ 600 V | 100 µA @ 600 V | 7 µA @ 1500 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.5 V @ 4 A | 2.6 V @ 30 A | 2.6 V @ 4 A | 1.8 V @ 4 A |
| ชุด | - | Stealth™ | Stealth™ | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1500 V | 600 V | 600 V | 1500 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 4A | 30A | 4A | 4A |
FFPB16GTVIHSAYFFP30S60STUonsemiDIODE GEN PURP 600V 30A TO220-2LFFPF04S60STUFairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 4A TO220F-2L
FFPAV0005EpsonFFPF04U150STUonsemiDIODE GEN PURP 1.5KV 4A TO220FFFPF04S60SFairchild (onsemi)FFPF04F150STUonsemiDIODE GEN PURP 1.5KV 4A TO220FFFPF04U150STUFairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 1.5V 4A TO220F-2L
FFPF04U40DNTUonsemiDIODE ARRAY GP 400V 4A TO220FFFPF04H60STUonsemiDIODE GEN PURP 600V 4A TO220F-2LFFPF04H60STUFairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 4A TO220F-2LFFP30UP20DNFairchild (onsemi)FFPF04U40DNTUFairchild SemiconductorRECTIFIER DIODEFFPF04S60STUonsemiDIODE GEN PURP 600V 4A TO220F-2LFFPF04F150SFairchild (onsemi)FFP30UP20DNTUFairchild SemiconductorRECTIFIER DIODEFFP30S60S F30S60SFairchild (onsemi)
FFP30UP20DNTUonsemiDIODE ARRAY GP 200V 15A TO220| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที