ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FJH1101
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Fairchild Semiconductor - FJH1101 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Fairchild Semiconductor - FJH1101
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Fairchild (onsemi) | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 50 mA | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 15 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-35 (DO-204AH) | |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AH, DO-35, Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 175°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 15 pA @ 15 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 150mA | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Fairchild Semiconductor FJH1101
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FJH1101 | RB051LA-40TR | SS3P6-M3/85A | SB5H90-E3/73 |
| ผู้ผลิต | Fairchild Semiconductor | Rohm Semiconductor | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| ชุด | - | - | eSMP® | - |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz | - | 80pF @ 4V, 1MHz | - |
| เทคโนโลยี | Standard | Schottky | Schottky | Schottky |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 15 V | 20 V | 60 V | 90 V |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 15 pA @ 15 V | 1 mA @ 20 V | 100 µA @ 60 V | 200 µA @ 90 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 150mA | 3A | 3A | 5A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-35 (DO-204AH) | PMDT | DO-220AA (SMP) | DO-201AD |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 50 mA | 450 mV @ 3 A | 780 mV @ 3 A | 800 mV @ 5 A |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 175°C (Max) | 125°C (Max) | -55°C ~ 150°C | 175°C (Max) |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AH, DO-35, Axial | SOD-128 | DO-220AA | DO-201AD, Axial |
RB051LA-40TRRohm SemiconductorDIODE SCHOTTKY 20V 3A PMDTSS3P6-M3/85AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 60V 3A DO220AASB5H90-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 90V 5A DO201ADSS1P4LHM3/85AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 40V 1.5A DO220AA
R6001630XXYAPowerex Inc.DIODE GP 1.6KV 300A DO205AB DO9
RB083L-20TE25Rohm SemiconductorDIODE SCHOTTKY 20V 5A PMDS
APT30SCD120BMicrosemi CorporationDIODE SIL CARB 1.2KV 99A TO247
1N2262Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 1KV 22A DO4
1N5408SMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
W4693QK080IXYSDIODE GEN PURP 800V 4693A WD2
MUR840onsemiDIODE GEN PURP 400V 8A TO220-2
US1MDFQ-13Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 1KV 1A DFLAT
GI250-2-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 2KV 250MA DO204AL
25F40Solid State Inc.DIODE GEN PURP 400V 25A DO4
S3GHE3/9ATVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
FJH1101onsemiDIODE GEN PURP 15V 150MA DO35RS1006FLSURGEDIODE GEN PURP 600V 1A SOD123FL
SB320-TDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 20V 3A DO201AD| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที